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第五节 晶须(Whisker) 晶须中唯一具有规整三维结构的四脚晶须 独特的功能: ①高度形态规整性及尺寸均一性。T-ZnO晶须具有较高的形态规整性及尺寸均一性,晶体生长完整; ②各向同性。T—ZnO晶须具有三维空间的规整性,作为增强体能赋予其补强增韧的复合材料的机械等性能各向同性; ③半导体性质。T—ZnO是n型半导体 ④吸收紫外线。T—Zno晶须在紫外光区具有显著吸收特性,可改善高分子基体材料的抗老化性; ⑤高密度性。通常添加剂的相对密度在2%一3%之间而T—ZnO晶须的相对密度为5.78%,这种性能使其用作减振材料。 六钛酸钾晶须以其优良的隔热性能、良好的红外线反射特点和高温吸音特性而备受青睐。 偏磷酸钙晶须:良好的生物活性和生物相容性 第五节 填料 10.1 填料的种类和作用 10.1.1 种类 10.1.2 作用 10.2 填料/聚合物复合材料的制备方法 填料的作用 增量作用: 降低制品价格; 改性作用: 显著改善制品机械性能,耐摩擦性,耐老化等性能。 聚合物/填料复合材料的制备方法 传统的制备方法 原位聚合制备方法 粉体材料的特性要求 a 高纯 b 形状 c 无严重团聚 d 结晶形态 e 超细 晶须(whisker)是指由高纯度单晶生长而成的直径几微米、长度几十微米的单晶纤维材料。 由于其原子结构排列高度有序,结构完整难以容纳大晶体中常存的缺陷,故机械强度近似等于原子间价键力的理论强度 晶须是含缺陷很少的单晶纤维,其拉伸强度接近其纯晶体的理论强度。 十分优异的新型复合材料补强增韧材料。 ZnO晶须微观形貌 SiC晶须微观形貌 晶须的制备方法有:化学气相沉积(CVD)法、 溶胶-凝胶法、气液固法、液相生长法、固相生 长法和原位生长法等。 制备陶瓷晶须经常采用CVD法。 即通过气体原料在高温下反应,并沉积在衬底上 而长成晶须。 e.g. CVD 法制备 SiC 晶须的基本反应式为: CH3 SiCl3(g) + H2 ? SiC? + HCl(g) CVD 法制备难溶金属氮化物和碳化物的基本 反应式为: 2MCl4(g)+ 4H2 +N2 = 2MN(s)?+ 8HCl(g) MCl4(g)+ CH2 = MC(s)? + 4HCl(g) VLS(气液固)法制备 SiC 晶须的过程是: 在预选高温将触媒固体颗粒(?30?m)熔化成液态触媒球,通入气相源(H2、CH4、SiO),气相中的碳、硅原子被液球吸收溶解形成过饱和的碳硅溶液,以SiC的形式沉积在支撑衬底上。沉积不断进行,晶须不断生长,触媒球被生长着的晶须抬起,继续吸收、溶解和沉积。 固相生长法的典型实例 利用稻壳法制备SiC晶须 反应: 稻壳(700-900?C 、无氧气氛)?SiO2(s) + C(s) SiO2(s) + 3C(s) ? SiC ?+ 2 CO (g) 晶须不仅具有优异的力学性能,而且许多 晶须具有各种特殊性能,可用来制备各种性能 优异的功能复合材料。 晶须的成本较高,影响其应用。目前已开 发出许多低成本晶须,如K2Ti 6O13等。另外晶 须在基体材料中的分散工艺也是目前需要解决 的问题之一。 颗粒(Particle) 具有高强度、高模量、耐热、耐磨、耐高温 的陶瓷和石墨等非金属颗粒,加入到基体材料中 起提高耐磨、耐热、强度、模量和韧性的作用。 其成本低,易于批量生产。 另外,还有一种颗粒增强体称为延性颗粒增 强体(Ductile Particle Reinforcement),主要为 金属颗粒,一般是加入到陶瓷基体和玻璃陶瓷基 体中起到增韧作用。如Al2O3中加入Al、Ni,WC中 加入Co等。金属颗粒的加入使材料的韧性显著提 高,但高温力学性能有所下降。 填料的分类 化学组成 来 源 外观形态 填料功能 无机填料 合成填料 天然填料 增强剂 有机填料 填充剂 粒状 片状 纤维状 中空微珠 返回 活性填料:起补强作用,可提高制品性能 惰性填料:起稀释作用,降低了制品强度 返回 可相互转化 熔融共混 造 粒 填 料 单 体 分散 聚 合 返回
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