可控硅关断参数分析及新型可控硅的应用.PDFVIP

维普资讯 第 l9卷 第 1期 郑 州 轻 工 业 学 院 学 报 (自然 科 学 版 ) Vo1．19 N0．1 2OO4年 2月 JOURNALOFZHENGZHOU INSTITUTE OFLIGHTINDUSTRY(NaturalScience) Feb．2004 文章编号 ：1004—1478(2004)01一OO44—02 可控硅关断参数分析及新型可控硅的应用 江 泳 ， 杜 峰 ， 崔光照 ， 胡智宏 (郑州轻工业学院 信息与控制工程 系，河南 郑州 450002) 摘要 ：对可控硅误触发行为及 关断过程 的分析表 明，du／dt参数 固定的条件下，di／dt的临界值越 高，电路的可靠性越高．di／dt临界值 大大提高的逻辑可控硅、无缓冲器可控硅等新型可控硅不但 能提高电路 的可靠性 ，还可 以降低成本 ． 关键词 ：可控硅 ；误导通 ；关断过程 ；门极关断电流下降率 ；门极关断 电压变化率 中图分类号 ：TP211 文献标识码 ：A Analysisoftriacswitch parameterand application ofnew-typed triac JIANGYong， DU Feng， CUIGuang-zhao， HU Zhi-hong (Dept．ofInfor．andControllingEng ．，ZhengzhouInst．ofLightlnd ．，Zhengzhou450002，China) Abstract：Theanalysisofthe switchna d thewrongstartaction ofthetraicindicatesthat，in theconditionof certaindu／dt，thesecurityofcircuitimproveswith theincreaseofthedi／dtvalue．Thenew typed triacof highercriticalvalueofdi／dt，includingthelogictfiacandtheno-buffertriacect．，Callnotonlyimprovethe securityofcircuitbutalsoreducehtecostofdesign． Key words：triac；wrongstartaction；switch；di／dt；du／dt 0 引言 的导通 ，这就是可控硅 的误导通 ． 在固定 的温度下 ，可控硅的关断过程取决于 2个 近年来 ，可控硅广泛应用在 民用和各工业领域 ， 因素 ：1)当电流下降至 0时，可控硅 中仍然存在一定 但其误导通的缺点却限制 了它 的应用 ．为 了获得电路 的电荷数 目，这些 电荷决定 了可控硅能否真正关断， 设计 中所要求 的可靠性 ，设计者往往需要采取一系列 而电荷数 目又取决于关断前一段时间在可控硅 中流 的保护措施 ，如增加开关辅助 电路 (缓冲器)、限制开 动的电流值 (由少数载流子 的存在时间决定)．衡量这 关温度的安全范 围等 ，但这会增加器件数 目及成本 。 个指标 的参数为电流下降率 ，又称为门极关断电流下 本文拟通过对可控硅关断过程 的分析 ，讨论在可控硅 降率 di／dt．2)当可控硅关断时电压就会随之升高， 应用设计 中应当注意 的事项和新型可控硅的应用 ． 相应地就会有充 电电流注入可控硅的门极结构 中，这 1 可控硅 的关断过程