红外线影像观察14红外线穿透光的影像指出.PDF

4.4. 結果與討論 4.4.1. 轉移層之巨觀分析－紅外線影像觀察 圖 4.14 紅外線穿透光的影像指出，不具有直線圖形的砷化鎵試片與磷化鎵試 片做接合時，接合介面會產生許多的氣泡、空孔以及龜裂，但是，在具有直線圖 形的試片中卻沒有這種情形出現，除了直線圖形的區域外接合的品質都很好，因 此直線圖形大大改善這種缺陷的問題，然而這種缺陷造成的原因，可以用兩種方 向來思考： 1. 晶片表面原生氧化層的氧造成的效應。 2. 兩材料熱膨脹係數的差異。 首先探討上述的第一個原因，本實驗中的結果與 Esser, Hobart和Kub的期刊論 文結果相似，這研究在接合工作之前在於矽晶片表面製作網狀的圖形並向下蝕 刻，這些研究人員發現，當這二維正方形網狀的圖形間距小於6.75 mm時，熱所 產生的空孔將被消除，［27 ］這論文中提到的空孔是由殘留的水、氮氣、碳氫化 合物和氫氟酸在接面所造成的， ［28 ］並且經由這些網狀圖形可以成功的將揮發 物質排除，然而在本接合的實驗中，雖然有上述的幾項表面殘留物質會造成介面 缺陷，但是，化合物半導體中表面的原生氧化層將是另一個重要的因素，［29 ］我 們相信在介面發現的空孔最主要是由表面原生氧化物在 500ºC 以上的接合溫度產 生揮發所造成，這個過程和一般砷化鎵IC技術製程相符合，也就是大家都知道的 砷化鎵原生氧化層揮發溫度大約在 500ºC左右。［29,30 ］很幸運的，藉由這直線 圖形可以將此現象消除，相類似的情形也可以在 R.H. Horng et al.的期刊中見到， ［31 ］作者是接合砷化鎵以及磷化鎵，在文章中說明了利用直線圖形確實可以有 效的解決相同的問題。 另一方面，熱膨脹係數差也是一項重要的因素 ，在高溫接合時，這差值會劇 烈的影響接合後的晶片，特別是在較大尺寸晶圓接合時這種現象會更加明顯，圖 4.15是砷化鎵與磷化鎵的隨溫度變化之熱膨脹係數差，熱膨脹係數差在晶圓接合 時經常造成接合試片的破裂，因此解決這問題也是一大課題，當然，這些問題在 利用直線圖形後都不復見。 - 117 - 圖 4.14磷化銦鎵轉移層的介面紅外線穿透影像 - 118 - Difference of thermal expansion in different temperature 8 7 6 5 K / 6 - 4 0 1 GaAs 3 GaP 2 1 0 300 400 500 600 700 800 Temperature (K) 圖 4.15砷化鎵與磷化鎵基材的熱膨脹係數隨溫度之變化 - 119 - 4.4.2. 磷化銦鎵轉移層的微觀結構觀察－穿透式電子顯微鏡分析 除了紅外線影像外觀察巨觀缺陷外，穿透式電 子顯微鏡也被應用來觀察接合 介面的微觀影像，這項觀察有助於瞭解接合介面機制，無直線圖形的接合面主要 是由晶片直接相互接合，但是，在局部區域伴隨著許多半球型泡泡狀的非晶質氧 化層，如圖 4.16 ，在高解析度的影像中圖( 4.16(c)) ，可以明顯的看出半球型的泡 泡狀區域為非晶質的，其餘皆為完整接合區域。可以見得具有直線通道的接合試 片中亦能降低這缺陷的密度。圖 4.17 是磷化銦鎵磷化鎵接合介面的明場/