其中m0为自由电子质量-河北科技大学学报.PDF

１９８ 河 北 科 技 大 学 学 报 ２００６年 　　　　　　　　　　　　　　　　 　 其中 为自由电子质量（ －３１ ），为杂质 的质量浓度。 ｍ ９．１１×１０ ｋ 狓 Ａｌ ０ ｇ 下面利用以上结果研究宽度为 的矩形势垒的量子隧穿问题。 犔 ２．１ 有效质量对透射系数的影响 　 取矩形势垒的宽度 ，图 给出了不同有效质量情况下，透射系数随电子入射能量的变化曲线。 犔＝３ｎｍ ２ 相应电子的有效质量参数见图中所示。图 ）—图 ）中的  ， ， 和 ２ａ ２ｄ 犿 ＝０．１００２ｍ ０．１１６８ｍ ０．１３３４ｍ １ ０ ０ ０ ，分别对应电子在势垒 中的有效质量，  为电子在 材料中的有效质 ０．１５ｍ ＡｌＧａ Ａｓ 犿 ＝０．０６７ｍ ＧａＡｓ ０ 狓 １－狓 ２ ０ 量。从图 中可以看出，对于同一势垒高度，不同有效质量情形透射系数的峰值对应的入射电子的能量总是 ２ 低于相同有效质量情形的量值；随着电子在势垒中有效质量的增加，透射系数的峰谷透射比逐渐增大，即材 料的负阻效应在加强，当电子在势垒中的有效质量  时，透射系数的峰谷透射比近似达到 ， 犿 ＝０．１５ｍ ２．０ １ ０ 同时峰也变得越来越尖锐。这些性质均有利于隧道二极管的制备。 图 不同有效质量下透射系数与入射电子能量间的关系 ２ 　 Ｆｉ．２ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｖｓｅｌｅｃｔｒｏｎｅｎｅｒ ｌｏｔｕｎｄｅｒｄｉｆｆｅｒｅｎｔｅｆｆｅｃｔｉｖｅｍａｓｓ ｇ 　 ｇｙｐ ２．２ 势垒高度对透射系数的影响 　 图 ）和图 ）分别为在相同有效质量和不同有效质量情况下矩形势垒结构在不同势垒高度下透射系 ３ａ ３ｂ 数与入射电子能量间的关系。势垒宽度为 ，有效质量相同时   （见图 ））；有效质 ３ｎｍ 犿 ＝犿 ＝０．０６７ｍ ３ａ １ ２ ０ 量不同时  分别为 ， ， 和 ，  （见图 ））。势垒高度 犿 ０．１００２ｍ ０．１１６８ｍ ０．１３３４ｍ ０．１５ｍ 犿 ＝０．０６７ｍ ３ｂ １ ０ ０ ０ ０ ２ ０ 分别为 ， ， ， 。从图 ）中可以看出，随着入射电