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晶体缺陷对材料性能的影响现状研究 摘要:在理想完整的晶体中，原子按照一定的次序严格的处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际晶体中，由于各种各样的原因，原子排布不可能那样完整和规则。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。同时缺陷的存在会对晶体产生或多或少的影响，本文着重研究了各类缺陷对材料性能的影响，收集了大量知名学者的研究成果，为之后的系统研究晶体缺陷奠定了基础。 关键词： 晶体缺陷； 空位； 材料性能 Effect of crystal defects on material research Abstract: In an ideal complete Crystal atoms according to a certain order of strict rules in space, periodic lattice. But in the actual Crystal, due to various reasons, Atomic configurations cannot be so complete and rules. These complete deviation of the periodic lattice structure is the defects in the Crystal, it destroys the symmetry of the Crystal. Also will have more or less effect on crystal defects exist, this paper focuses on the influence of defects on the properties of materials, collected a large number of well-known scholars research results, laid the groundwork for systematic study of lattice defects. Key words: crystal defects; vacancy; material properties 晶体结构中质点排列的某种不规则性或不完善性。又称晶格缺陷。表现为晶体结构中局部范围内，质点的排布偏离周期性重复的空间格子规律而出现错乱的现象。根据错乱排列的展布范围,分为下列3种主要类型。 (1)点缺陷，只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷。它包括:晶格位置上缺失正常应有的质点而造成的空位;由于额外的质点充填晶格空隙而产生的填隙；由杂质成分的质点替代了晶格中固有成分质点的位置而引起的替位等 (2)线缺陷—位错 位错的概念1934年由泰勒提出到1950年才被实验所实具有位错的晶体结构，可看成是局部晶格沿一定的原子面发生晶格的滑移的产物。滑移不贯穿整个晶格，晶体缺陷到晶格内部即终止，在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界处造成质点的错乱排列，即位错。这个分界外，即已滑移区和未滑移区的交线，称为位错线。 (3)面缺陷，是沿着晶格内或晶粒间的某个面两侧大约几个原子间距范围内出现的晶格缺陷。主要包括堆垛层错以及晶体内和晶体间的各种界面，如小角晶界、畴界壁、双晶界面及晶粒间界等。 晶体缺陷的产生原因有很多种，主要为在晶体生长过程中，由于温度、压力、介质组分浓度等变化而引起的；有的则是在晶体形成后，由于质点的热运动或受应力作用而产生。它们可以在晶格内迁移，以至消失；同时又可有新的缺陷产生。 晶体缺陷的存在对晶体的性质会产生明显的影响。实际晶体或多或少都有缺陷。适量的某些点缺陷的存在可以大大增强半导体材料的导电性和发光材料的发光性，起到有益的作用；而位错等缺陷的存在，会使材料易于断裂，比近于没有晶格缺陷的晶体的抗拉强度，降低至几十分之一。 因为晶体缺陷对材料性能有很大的影响，故而国内外对晶体缺陷的研究十分普遍，本文将对国内外知名学者的研究结果进行汇总，为以后细致研究晶体缺陷奠定基础。 1 晶体缺陷对材料性能的影响研究汇总 李威等[1-6]研究了掺杂?吸附和空位缺陷对碳纳米管导热的影响,结果表明:与完整无缺陷碳纳米管相比,掺杂?吸附和空位均会导致碳管 热导率显著下降,以及碳管轴向温度分布在缺陷处产生非线性的间断性跳跃;缺陷类型对碳管热导率的影响最大,管径次之,管长影响相对最小;而空位?掺杂和吸附对碳管热导率的影响力依次是减小的? 于立军等[7-10]对空位缺陷对CrSi2光电性能的影响进行了研究结论为：Cr和Si空位均使CrSi2 的晶格常