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混合微电路的发展历史 20世纪40年代,微电子电路由印在钛酸盐陶瓷基片上的电阻和电极构成,这是当时的最高水平 1947年,贝尔实验室(Bell Labs)的一组研究人员发明了晶体管 厚膜电路起始于1960年,由杜邦公司研制成功 1964年,仙童公司(Fairchild)的Gordon Moore预言微电子元器件的密度将逐年倍增,驱使微电子行业向高度小型化进军 1975年,Intel 公司借助结合了单片元器件和厚膜电路的混合技术在单板上组装了一个完整的计算机。于是混合微电路的概念诞生了,混合技术作为起替代作用的微电子模块被工业界广泛应用 在国内,1976年,北京七星华创电子股份有限公司微电子分公司最早开始研制混合微电路 20实际90年代以后,混合微电子行业以爆炸式的增长快速发展。 混合微电路的几个基本术语 HIC/MCM 印刷电路板 或刻蚀电路板 膜 集成电路和 分立元器件 厚膜 薄膜 印刷电路板(PCB):由绝缘基板、连接导线和装配焊接电子元器件的焊盘组成,具有导电线路和绝缘基板的双重作用。 厚膜:膜厚范围在5.08 ~50.8 ,通过掩膜形成电路图形,再由丝网选择性沉积糊状浆料形成的膜叫厚膜 薄膜:膜厚范围在几nm~几百nm,通过掩膜加法工艺或光刻减法工艺形成电路图形,再由真空沉积或离子溅射等方式形成的膜叫薄膜 薄/厚膜 混合集成电路 参考教材: 薄厚膜混合集成电路,国防工业出版社,1982,胡忠胥、梁瑞林等 厚薄膜混合微电子学手册,电子工业出版社,2019,Tapan K. Gupta 混合微电路技术手册—材料、工艺、设计、试验和生产,电子工业出版社,2019,James J.Licari, Leonard R.Enlow 电子封装工程,清华大学出版社,2019,田民波编著 电子产品制造技术,清华大学出版社,2019,王卫平主编 课程内容: 混合集成电路发展简史及应用实例 混合电路中常用数学模型及设计、布图规则 厚膜电路工艺原理、使用材料和制作流程 厚膜制造中的膜沉积技术 薄膜材料的性质及薄膜膜沉积技术 电阻器阻值调整技术 分立元器件组装技术 封装技术及不同封装材料的性能 多芯片模块介绍 混合电路可靠性试验及失效分析 第一章 引言 混合集成电路(HIC)、半导体集成电路(IC)与分立元器件电路 现代集成电路可分为半导体集成电路和厚薄膜混合集成电路两大类,再加上散装小型元器件的微型电路,统称为微电子电路。 1.分立元器件电路 指电阻,电容,电感,晶体管等单一特征元件实体按照一定的电路形式,组成完成特定功能的实体。 分立元器件电路— 有源音箱 分立元器件电路——发射机 体积大,能耗高,故障率高。现主要用于实验、教学中。 “用分立元件造P4的话,大概有国家大剧院那么大” 2.半导体集成电路(IC) 也叫单片集成电路(monolithic IC).其电路构建在单晶基片上,电路中含有有源器件(晶体管、二极管等)、无源元件(电阻、电容等)及它们之间的互连导线,几乎所有的电路元器件都是通过诸如外延生长、掩模杂质扩散、氧化物生长、氧化物刻蚀、定义图形的光刻等这些工艺制造在基片内。最后,内部接触用铝与1%-2%硅和2%-4%铜的合金做成。 IC可以从不同角度分类 材料 Si 集成电路(〉95%) 绝缘体上硅(SOI) 锗硅(SiGe)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)…… 特征尺寸 0.25 (深亚微米) 0.18 (超深亚微米) 90 65 45 Moore定律:IC中晶体管的数目每隔两年就翻一番,芯片性能每18个月翻一番。 SOI的作用——解决闩锁效应 功能 数字集成电路(门电路、存储器、微处理器等) 模拟集成电路(运算放大器、直流稳压电源、模-数) 由于集成电路体积小,使电子运动距离大幅度缩小,因此速度极快且可靠性高,电子信息产品的很多核心功能都是通过集成电路来实现的。 IC电路的优势仅当与其他集成电路、电阻器、电容器等以混合电路的形式实现集成时才能最佳化。 3. 混合集成电路(Hybrid IC) 混合集成电路是一种将各种功能的片式器件在预先做好导体图案或导体与阻容组合图案的绝缘基片上进行电气互连的电路。之所以叫“混合”电路是因为它在一种结构内组合两种不同的工艺技术:有源芯片器件(半导体器件)和成批制造的无源器件(电阻器,导体等) 分立的片式元器件有晶体管、二极管、集成电路、片电阻和电容器;成批制造的元器件有导体、电阻器,有时还有电容器和电感器。 片式元器件是很小的没有包封的元器件。半导体片式器件也叫裸芯片,尺寸范围从非常小(12mil见方)的单个晶体
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