基于质子导体膜栅介质的薄膜晶体管研究-物理电子学专业论文.docxVIP

华中科技大学博士学位论文 华 中 科 技 大 学 博 士 学 位 论 文 II万方数据 II 万方数据 结构的 ITO 无结薄膜晶体管。测试表明，器件的工作电压仅为 2 V，电流开关比高达 6.9×106，亚阈值斜率仅为 80 mV/decade，饱和区的场效应迁移率高达 26.4 cm2/Vs。 同时成功研制出了具有共平面栅结构的无结薄膜晶体管，器件的工作电压仅为 2 V， 饱和区场效应迁移率为 11.1 cm2/Vs，亚阈值斜率为 128 mV/decade，电流开关比为 1.1 ×106。 (4) 在导电衬底上制备壳聚糖薄膜作为栅介质，然后在栅介质上采用磁控溅射技 术通过单步掩膜工艺沉积 IZO 源/漏电极和 IZO 沟道，从而成功研制出了具有底栅结 构的 IZO 薄膜晶体管。测试表明，器件的工作电压仅为 1.5 V，电流开关比高达 3.7 ×107，亚阈值斜率仅为 116 mV/decade，饱和区的场效应迁移率高达 26.3 cm2/V s。同 时研制出了具有单共平面栅结构的薄膜晶体管，器件性能优异：亚阈值斜率仅为 87 mV/decade，电流开关比达到 1.5×108，场效应迁移率高达 34 cm2/Vs，工作电压仅为 1 V。 (5) 对 IZO/壳聚糖/IZO 侧栅结构进行测试，获得了高达 0.55μF/cm2 的双电层电容， 表明这种结构具有极强的侧向静电耦合