干法刻蚀技术的应用与发展.docVIP

. .. 干法刻蚀技术的应用与发展 摘 要 在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展，经历了多样化的发展过程，使技术不断完善和创新。一定程度上，干法刻蚀的水平决定了集成电路器件性能和生产规模。 本课程设计主要讨论半导体制造工艺中非常重要的步骤刻蚀，详细描述了干法刻蚀的物理方法和化学方法以及基本原理，重点讲述干法刻蚀技术在半导体制造工艺中的应用和未来的发展。 关键词：半导体制造，刻蚀，干法刻蚀，金属刻蚀 . 目 录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc374857776 摘 要 PAGEREF _Toc374857776 \h 2 HYPERLINK \l _Toc374857777 目 录 PAGEREF _Toc374857777 \h 3 HYPERLINK \l _Toc374857778 第1章 绪 论 PAGEREF _Toc374857778 \h 4 HYPERLINK \l _Toc374857779 第2章 干法刻蚀的机制和原理 PAGEREF _Toc374857779 \h 6 HYPERLINK \l _Toc374857780 2.1 刻蚀工艺 PAGEREF _Toc374857780 \h 6 HYPERLINK \l _Toc374857781 2.2 刻蚀作用 PAGEREF _Toc374857781 \h 6 HYPERLINK \l _Toc374857782 2.2.1 物理刻蚀 PAGEREF _Toc374857782 \h 7 HYPERLINK \l _Toc374857783 2.1.2 化学刻蚀 PAGEREF _Toc374857783 \h 8 HYPERLINK \l _Toc374857784 第3章 干法刻蚀的应用 PAGEREF _Toc374857784 \h 10 HYPERLINK \l _Toc374857785 3.1 介质的干法刻蚀 PAGEREF _Toc374857785 \h 10 HYPERLINK \l _Toc374857787 3.1.1 氧化物 PAGEREF _Toc374857787 \h 11 HYPERLINK \l _Toc374857788 3.1.2 氮化物 PAGEREF _Toc374857788 \h 12 HYPERLINK \l _Toc374857789 3.2 硅的干法刻蚀 PAGEREF _Toc374857789 \h 12 HYPERLINK \l _Toc374857790 3.2.1 多晶硅栅刻蚀 PAGEREF _Toc374857790 \h 12 HYPERLINK \l _Toc374857791 3.2.2 单晶硅的刻蚀 PAGEREF _Toc374857791 \h 13 HYPERLINK \l _Toc374857792 3.3 金属的干法刻蚀 PAGEREF _Toc374857792 \h 13 HYPERLINK \l _Toc374857793 3.3.1 铝和金属复合层 PAGEREF _Toc374857793 \h 13 HYPERLINK \l _Toc374857794 3.3.2 钨 PAGEREF _Toc374857794 \h 14 HYPERLINK \l _Toc374857795 第4章 干法刻蚀设备的构成和主要性能指标 PAGEREF _Toc374857795 \h 15 HYPERLINK \l _Toc374857796 4.1. 干法刻蚀设备的概述 PAGEREF _Toc374857796 \h 15 HYPERLINK \l _Toc374857797 4.2. 干法刻蚀工艺流程 PAGEREF _Toc374857797 \h 16 HYPERLINK \l _Toc374857798 4.3. 设备的主要的组成部分 PAGEREF _Toc374857798 \h 16 HYPERLINK \l _Toc374857799 4.4. 干法刻蚀设备的主要性能指标 PAGEREF _Toc374857799 \h 17 HYPERLINK \l _Toc374857800 总结与展望 PAGEREF _Toc374857800 \h 19 HYPERLINK \l _Toc374857801 参考文献 PAGEREF _Toc374857801 \h