FD-SOI在硅片微型化研发过程中取得的重大突破.PDF

FD-SOI：在硅片微型化研发过程中取得的重大突破 半导体行业正在不断提高芯片的计算能力，以满足市场日益增长的需求，然而晶体 管设计却陷入了特征尺寸缩小导致性能受限的困境。 当晶体管尺寸缩小至纳米级别 （十亿分之一米）时，要想控制晶体管电学特性，需 要采用一种叫做全耗尽晶体管的新设计方法。十几年前，意法半导体的研究人员提 出了在绝缘体上放置超薄硅衬底制作晶体管的初步想法。他们的努力为开发全耗尽 型晶体管架构奠定了基础，该架构有效地绕过了继续缩小传统（体硅 CMOS ）芯片 制造技术节点需要解决的诸多复杂难题。 ST 的 FD-SOI （全耗尽绝缘体上硅）技术是在追求电子电路微型化过程中取得的一 项重大突破，可以满足信息娱乐系统、ADAS 等下一代汽车系统的能效要求。物联 网设备和服务器都对能效有最高的要求，需要集成各种数字、模拟、射频、嵌入式 存储器等功能，FD-SOI 是物联网半导体技术的理想选择。 FD-SOI 并不是全耗尽半导体技术的唯一解决方案，还有一种叫做FinFETs 的全耗尽 半导体技术。FinFETs 方法实质上将 2D 平面晶体管旋转 90 度，在体硅衬底内构建 3D 晶体管。这种 3D 方法需要彻底改变设计技术和制造工艺，而 ST 的平面（2D ） FD-SOI 是使用大家熟悉的常规设计技术和制造工艺，因此， FD-SOI 制造成本更低， 加工制造更容易。FD-SOI 不只简单，还有很多优点。 FD-SOI 技术有很多独一无二的优点，包括导电沟道中不存在寄生效应和掺杂剂。因 此，FD-SOI 晶体管的工作频率远高于常规 CMOS 晶体管。与成本相差无几的体硅 技术器件相比，在法国Crolles 300mm 设备中制造的意法半导体28nm FD-SOI 技术 平台可以在相同功耗下提高工作速度30 ％，性能不变的情况下提高能效50 ％。 散热少：FD-SOI 晶体管比体硅CMOS 晶体管更节能，比同级体硅技术散热少。 因 此，采用FD-SOI 芯片的终端产品散热少，工作时间长。 随着一系列设计正在有序进行，意法半导体的FD-SOI 技术已为大规模量产做好准备， 全球最大代工厂之一的三星已获得 ST 的28 纳米技术许可，为电子产品实现出色性 能、更长的续航时间和充足产能保证开辟一条新途径。 ST 在消费电子领域和ASICs 市场抓住了很多推广FD-SOI 的机会。 FD-SOI 产业化归功于意法半导体的科学智慧、战略眼光和坚强毅力，进一步强化了 意法半导体在半导体行业中的地位，在影响微电子行业未来中发挥重要作用。 2015 年3 月更新