低温沉积之奈米晶碳化矽薄膜及应用于高温UV光检测器之研制.PDF

行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告 ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ ※ 低溫沉積之奈米晶碳化矽薄膜及應用於高溫 UV ※ ※ 光檢測器之研製 ※ ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ 計畫類別：□ V個別型計畫 □整合型計畫 計畫編號： NSC96 – 2221 – E – 274 – 010 - 執行期間： 96 年 8月 1日至 97 年 7月 31日 計畫主持人： 林俊昱 共同主持人： 計畫參與人員：張家禎 執行單位：私立吳鳳技術學院電機系 中 華 民 國 97 年 9月 30 日 低溫沉積之奈米晶碳化矽薄膜及應用於高溫 UV 光檢測器之研製 “Low temperature deposition of nanocrystalline SiC for applications in high temperature UV detectors” 計畫編號： NSC96 – 2221 – E – 274 – 010 - 執行期間：96 年 8月 1日 至 97 年 7月 31日 主持人：林俊昱 私立吳鳳技術學院電機系副 教授 一、中文摘要 立奈米晶碳化矽薄膜的成長條件與光、電特 近年來經由陽極氧化蝕刻法研製的多孔 性。 矽，展現不同於單晶矽的光電特性，而引起研 究人員對奈米半導體材料的重視；除了發光特 英文摘要 性外，奈米材料亦有絕佳的吸光響應特性。由 In the past, the discovery of bright photoluminescence (PL) from electrochemically 多孔矽所製作出的光檢測器，如蕭特基光檢測 etched porous silicon (PS) has evoked research 器、金屬 / 半導體/ 金屬光檢測器以及光電晶 efforts directed in the fabrication of 體，被證實具有較單晶矽光檢測器高的量子效 nanocrystalline semiconductor materials. Using 率。隨著奈米技術的發展，以往半導體材料的 the porous Si