2019年研究生入学考试复习大纲.docVIP

研究生入学考试复习大纲 “集成电路与半导体物理”(802) 总体要求 “集成电路与半导体物理”（802）由数字集成电路和半导体物理二部分组成，其中集成电路占40%（60分），半导体物理占60%（90分）。矚慫润厲钐瘗睞枥庑赖賃軔朧碍鳝绢懣硯涛镕頃赎巯驂雞虯从躜鞯烧。 “数字集成电路”要求学生应深入理解数字集成电路的相关基础理论，掌握数字集成电路电路、系统及其设计方法。重点掌握数字集成电路设计的质量评价、相关参量；能够设计并定量分析数字集成电路的核心——反相器的完整性、性能和能量指标；掌握CMOS组合逻辑门的设计、优化和评价指标；掌握基本时序逻辑电路的设计、优化、不同形式时序器件各自的特点，时钟的设计策略和影响因素；定性了解MOS器件；掌握并能够量化芯片内部互连线参数。聞創沟燴鐺險爱氇谴净祸測樅锯鳗鲮詣鋃陉蛮苎覺藍驳驂签拋敘睑绑。 “半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。残骛楼諍锩瀨濟溆塹籟婭骒東戇鳖納们怿碩洒強缦骟飴顢歡窃緞駔蚂。 “集成电路与半导体物理”（802）研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。酽锕极額閉镇桧猪訣锥顧荭钯詢鳕驄粪讳鱸况閫硯浈颡閿审詔頃緯贾。 各部分复习要点 ●“数字集成电路”部分各章复习要点 “数字集成电路”考试范围及要点包括：数字集成电路设计质量评价的基本要素；CMOS集成电路设计规则与工艺缩小；二极管基本结构、参数、静态特性、动态特性、二极管分析模型；MOS晶体管基本结构、阈值电压、亚阈值特性、工作区、沟道长度调制、速度饱和、MOS晶体管分析模型；反相器静态特性、开关阈值、噪声容限、稳定性，反相器动态特性、电容构成，传播延迟分析与尺寸计算、反相器静态功耗、动态功耗；静态互补CMOS组合逻辑门设计、尺寸设计、延迟计算与优化，有比逻辑基本原理、传输管逻辑基本原理；动态CMOS设计基本原理、信号完整性问题及其速度与功耗；时序逻辑器件时间参数、静态锁存器和寄存器的工作原理、C2MOS寄存器结构与特性；时钟的设计策略和影响因素；导线中的传输线效应，电容寄生效应、电阻寄生效应。彈贸摄尔霁毙攬砖卤庑诒尔肤亿鳔简闷鼋缔鋃耧泞蹤頓鍥義锥柽鳗铟。 （一）数字集成电路基本概念和质量评价 1.复习内容 数字集成电路设计中的基本概念、面临问题和质量评价标准 2.具体要求 设计约束 时钟设计 电源网络 设计质量评定标准 集成电路成本构成 电压传输特性 噪声容限 再生性 扇入扇出 传播延迟 功耗、能耗 设计规则 标准单元 工艺偏差 工艺尺寸缩小 封装 （二）器件 1.复习内容 定性了解二极管、MOS晶体管，理解其工作原理，静态特性、动态特性；掌握SPICE模型和手工分析模型。 2.具体要求 二极管结构 二极管静态特性 二极管动态特性 二极管手工分析模型 二极管SPICE模型 MOS晶体管结构 MOS晶体管工作区 MOS晶体管静态特性、阈值电压、沟道长度调制、速度饱和 MOS晶体管亚阈值特性 MOS晶体管动态特性 MOS晶体管电容构成 热载流子效应 CMOS HYPERLINK /view/78de618a6529647d272852d0.html \t _blank 闩锁效应謀荞抟箧飆鐸怼类蒋薔點鉍杂篓鳐驱數硯侖葒屜懣勻雏鉚預齒贡缢颔。 MOS晶体管SPICE模型 MOS晶体管手工分析模型 （三）导线 1.复习内容 互连线的电路模型，SPICE模型，确定并定量化互连参数；传输线效应；互连线的信号完整性 2.具体要求 互连参数 互连线电容寄生效应 互连线电阻寄生效应 互连线电感寄生效应 趋肤效应 互连线集总模型 互连线分布模型 （四）CMOS反相器 1.复习内容 反相器设计；反相器完整性、性能、能量指标的定量分析及其优化。 2.具体要求 CMOS反相器静态特性、开关阈值、噪声容限、稳定性 CMOS反相器动态特性 CMOS反相器电容计算 CMOS反相器传播延迟分析 CMOS反相器网络设计 CMOS反相器功耗、动态功耗、静态功耗 MOS反相器低功耗设计技术 能量延时积 （五）CMOS组合逻辑门设计 1.复习内容 掌握CMOS逻辑设计，包括动态和静态逻辑、传输管逻辑、无比逻辑、有比逻辑；能够优化CMOS逻辑的管子尺寸、面积、速度、稳定性和能耗；掌握低功耗逻辑设计技术厦礴恳蹒骈時盡继價骚卺癩龔长鳏檷譴鋃蠻櫓鑷圣绋閼遞钆悵囅为鹬。 2.具体要求