透明氧化物半导体及其溶液法制备薄膜晶体管-中国材料进展.PDFVIP

第３３卷　第３期 中国材料进展 Ｖｏｌ３３　Ｎｏ３ 　 ２０１４年３月 ＭＡＴＥＲＩＡＬＳＣＨＩＮＡ Ｍａｒ２０１４ 透明氧化物半导体及其溶液法制备薄膜晶体管 周　腾，陈　征，崔　铮 （苏州纳米技术与纳米仿生研究所印刷电子中心，江苏 苏州２１５１２３） 摘　要：透明氧化物电子材料是当今最重要的电子材料之一，其本质是一类具有高迁移率的宽带隙半导体。通过调节其组分 和结构，可以大范围调节其载流子浓度，从而使其表现为半导体或者导体性质。因此，透明氧化物电子材料可用于多种器 件，特别是作为半导体沟道和透明导电电极。透明导电氧化物更早成为了研究热点，并已在商业化应用中广泛使用，透明氧 化物作为新一代半导体也被广泛研究，现在透明氧化物半导体薄膜晶体管已经可以实用化。在较低的温度和大气环境中，通 过溶液法制备的透明氧化物，表现出了较好的电子特性，因此成为了印刷电子中重要的领域。简要地介绍了透明导电氧化物 和透明氧化物半导体晶体管的发展历程，并概述了溶液法制备透明氧化物晶体管方面所做的研究及取得的最新进展。并指 出，现今采用的溶液法制备工艺所存在的问题，特别是工艺温度偏高，应进一步深入研究，使在低温工艺下制备高性能透明 氧化物晶体管工艺走向成熟，才能进入工业化生产。 关键词：透明导电氧化物；透明氧化物薄膜晶体管；溶液法加工；印刷电子 中图分类号：ＴＧ１４６４　　文献标识码：Ａ　　文章编号：１６７４－３９６２（２０１４）０３－０１４４－０７ ＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒａｎｄＩｔｓＳｏｌｕｔｉｏｎ ＰｒｏｃｅｓｓｅｓｆｏｒＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ ＺＨＯＵＴｅｎｇ，ＣＨＥＮＺｈｅｎｇ，ＣＵＩＺｈｅｎｇ （ＰｒｉｎｔａｂｌｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｒｅ，ＳｕｚｈｏｕＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＮａｎｏＴｅｃｈａｎｄＮａｎｏＢｉｏｎｉｃｓ， ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｓｕｚｈｏｕ２１５１２３，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｏｘｉｄｅｉｓｏｎｅｏｆｔｈｅｍｏｓｔｉｍｐｏｒｔａｎｔｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｍａｔｅｒｉａｌｓ．Ｔｈｅｎａｔｕｒｅｏｆｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｏｘ ｉｄｅｍａｔｅｒｉａｌｓｉｓａｔｙｐｅｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｗｉｔｈｗｉｄｅｂａｎｄｇａｐａｎｄｈｉｇｈｃｈａｒｇｅｍｏｂｉｌｉｔｙ．Ｔｈｅｉｒｃｈａｒｇｅｃａｒｒｉｅｒｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｓ ｃａｎｂｅａｄｊｕｓｔｅｄｉｎｗｉｄｅｒａｎｇｅｂｙｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇｔｈｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｎｄｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆｏｘｉｄｅ，ｍａｋｉｎｇｔｈｅｍａｓｅｉｔｈｅｒｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ｏｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ．Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅｓｉｎｐａｒｔｉｃｕｌａｒｈａｖｅｂｅｅｎｅｘｔｅｎｓｉｖｅｌｙｓｔｕｄｉｅｄｆｏｒｍａｎｙｙｅａｒｓａｎｄｂｅｅｎｗｉｄｅｌｙ ａｐｐｌｉｅｄｉｎｃｏｍｍｅｒｃｉａｌｐｒｏｄｕｃｔｓ．Ｔｈｅｌｏｗｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｐｒｏｃｅｓｓｅｄｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＴＯＳ）ａｐｐｅａｒｅｄｉｎｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｔｅｎｙｅａｒｓａｇｏ，ｓｉｎｃｅｔｈｅｎＴＯＳｓｈａｖｅｇａｉｎｅｄｅｘｔｅｎｓｉｖｅａｔｔｅｎｔｉｏｎａｓｔｈｅｎｅｗｇｅｎｅｒａｔｉｏｎｓｅｍ ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ．Ｏｗｉｎｇｔｏｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅａｄｖａｎｃｅｓｉｎｔｈｅｌａｓｔｆｅｗｙｅａｒｓ，ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｂａｓｅｄｏｎｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎ ｄｕｃｔｏｒｓａｒｅａｐｐｒｏａｃｈｉｎｇｔｈｅｃｏｍｍｅｒｃｉａｌｍａｒｋｅｔ．Ｐａｒｔｉｃｕ