微纳米光电器件用单层MoS.PDFVIP

第 卷第 期 西 安 工 业 大 学 学 报 ３８ ４ Ｖｏｌ．３８Ｎｏ．４ 　 　 　 　 　 　 　 年 月 　　　　　　　　　　　 ’ 　　　　　　　　　　　 ２０１８ ８ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＸｉａｎＴｅｃｈｎｏｌｏｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔ Ａｕ．２０１８ ｇ ｙ ｇ ： ／ ＤＯＩ１０．１６１８５ ．ｘａｔｕ．ｅｄｕ．ｃｎ．２０１８．０４．０１２ ｊｊ 微纳米光电器件用单层 ＭｏＳ 的制备与结构表征 ２ ， １２ ２ １ １ １ 坚佳莹 ，常洪龙 ，岳皎洁 ，董秡凡 ，孙 娴 　 （ 西安工业大学 电子信息工程学院，西安 ； 西北工业大学 机电学院，西安 ） １． ７１００２１２． ７１００７２ 摘 要： 为了满足高性能光电器件对单层 ＭｏＳ 的需要，文中采用扫描电镜和拉曼光谱，研 　 　 ２ 究了保温生长时间和氩气流速对硫化三氧化钼化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长 ＭｏＳ形 ２ 貌、尺寸、结构和层数的影响 研究结果表明：在反应物质量比和反应温度一样的条件下，沉积 ． 产物的种类主要受氩气流速的影响，氩气流速为 时，沉积产物为菱形 与 ３０ｓｃｃｍ ＭｏＳ ＭｏＯ ２ ２ 的混合物；氩气流速为 ， 时，沉积产物为单层三角形 的结构主要受保温 ５０７０ｓｃｃｍ ＭｏＳ．ＭｏＳ ２ ２ 生长时间的影响，保温生长时间为 ， 时，沉积产物为单层三角形 ；保温生长时间 １５３０ｍｉｎ ＭｏＳ ２ 达到 后，生长物为连成一片的多层 单层 的尺寸随保温生长时间和氩气流 ６０ｍｉｎ ＭｏＳ． ＭｏＳ ２ ２ 速的增大而增大，当保温时间为３０ｍｉｎ，氩气流速为７０ｓｃｃｍ时，生长出了尺寸达到 ９０ ｍ的