基于忆阻器的功能性电路研究-电子与通信工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 南京邮电大学学位论文原创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过 的研究成果，也不包含为获得南京邮电大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 本人学位论文及涉及相关资料若有不实，愿意承担一切相关的法律责任。 研究生签名： 日期： 南京邮电大学学位论文使用授权声明 本人授权南京邮电大学可以保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子文 档；允许论文被查阅和借阅；可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索； 可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。本文电子文档的内容和纸质 论文的内容相一致。论文的公布（包括刊登）授权南京邮电大学研究生院办理。 涉密学位论文在解密后适用本授权书。 研究生签名： 导师签名： 日期： 摘要 忆阻器是继电阻、电容、电感之后的第四个基本电路元件，用于描述磁通量和电荷之间 的关系。忆阻器具有电阻、电容和电感三个基本电路元件所不具有的特性，是一类有记忆特 性的非线性电路元件，可以记忆流经它的电荷量。通过改变经过忆阻器的电流可以改变忆阻 器的阻值，而且在断电后可以保持其阻值不变。这种记忆特性使得忆阻器比其它一般的电路 元件具有更广阔的研究与应用空间。 本论文对忆阻器的基本特性、忆阻器与电容、电感串并联电路以及忆阻器在混沌电路、 振荡电路中的应用进行了研究。主要包括以下内容： 以三次非线性和分段线性数学模型分别对荷控和磁控忆阻器的基本特性进行了相关分 析，研究表明忆阻器的 v-i 关系能呈现出紧磁滞回线，且特性曲线会随着器件参数、外加激励 频率的变化而变化；此外，外加激励频率可影响忆阻值的变化范围。在忆阻器与电容、电感 串并联电路方面，研究了荷控忆阻器与 LC 串联电路和磁控忆阻器与 LC 并联电路的相关特性， 结果表明通过改变电容、电感的值可以使电路的 v-i 关系呈现不同的特性。基于忆阻器的功能 性电路研究，主要是将忆阻器应用在蔡氏电路和文氏桥振荡电路中研究其对电路相关特性的 影响。通过改变蔡氏忆阻混沌电路中元件的参数值，φ-v 关系可呈现稳定焦点、单涡旋混沌和 双涡旋混沌等不同特性。在不同频率下忆阻器对振荡电路的影响有所不同，忆阻振荡器输出 波形会发生相应的变化。 关键词: 忆阻器，荷控，磁控，蔡氏电路，振荡电路 I Abstract Memristor is the fourth basic circuit component, and it is used to describe the relationship between the magnetic flux and charge. Memristor is a nonlinear circuit component with memory behavior. It can remember the quantities of electric charges that through itself. We can change the resistance by controlling the current value, and the memristor can keep the resistance after outage. This feature can make memristor be applicated in a more broad space for the research and application than other general circuit elements. The thesis make researches on the basic features of memristor, MLC series and parallel circuit, the chaotic circuit and the oscillation circuit based on memristor. The main contents are as follows: The basic features of charge-controlled and flux-controlled memristors with the mathematical model of cube nonlinear function and piecewise linear function are analyzed. The results show th