边继明-氮化铝性质和其应用.docVIP

氮化铝性质及其应用的最新进展 边继明 ( 大连理工大学物理与光电工程学院, 辽宁 大连 116024) 摘 要：从氮化铝的结构出发，分析了氮化铝的结构及性质，详细介绍了氮化铝在各个方面的应用，阐述了氮化铝薄膜及氮化铝陶瓷的制备过程及其在光电方面的应用。 关键词：氮化铝（ALN）结构；ALN薄膜；ALN陶瓷；ALN制备；光电器件 0 引 言 现代电子信息技术飞速发展,极大地推动着电子产品向多功能高性能、可靠性、小型化、便携化以及大众化普及所要求的低成本等方向发展。这些电子产品要经过合适的封装,才能达到所要求的电、热、光、机械等性能,满足使用要求[1] 薄膜作为特殊形态的材料，它的发展涉及几乎所有的前沿科学，又涉及到许多跨学科的理论基础。薄膜技术又是综合性的应用科学，已成为当代真空技术和材料科学中最活跃的研究领域，并渗透到微电子、信息、计算机、磁记录、能源、传感器、机械、航天航空、核工业、光学、太阳能利用等当代科技的各个方面。近几十年由于真空技术、薄膜材料与技术同表面物理相结合，促进了薄膜科学与技术的迅速发展。近年来世界薄膜产业飞速崛起推动了薄膜产品的开发与应用，可以说它正日益加深地影响着我们的生活。因而薄膜材料的研究既具有很强的理论意义又有广泛的应用价值。 精密陶瓷由于具有高机械強度、高温稳定性、耐磨耗及化学侵蚀，有些甚至具有良好的热传导性、电气绝缘性、压电性质、光学性质或生物亲和性等他种材料无法达到的性质，故为近年来最具发展性的材料之一，同時为许多专家学者称未来世纪最重要的材料。 正是由于ALN材料具有一系列特殊性质使其在薄膜，陶瓷等方面具有很大的应用前景。 1 ALN 结构 氮化铝(AlN)是Ⅲ-Ⅴ族共价化合物[1]。是Ⅲ-Ⅴ族中能隙值约 6.2eV）最大的半导体[2]。是一个以铝原子为中心，外部围绕四个氮原子，叠合而成的变形四面体[3]。如图 所示，其晶体结构属空间群 P63mc,对称点群属六方晶系纤锌矿结构。 AlN 原子间以共价键相结合，因此化学稳定性佳、熔点高（可达 2700℃）、 AlN 的机械强度高、电绝缘性能佳，是一种压电和介电材料，纯净的 AlN 是无色透明的晶体， AlN 块体材料的硬度很高，接近石英的硬度[6]。纯 AlN 的热稳定性特别好，在温度不高于 700℃ 表 1-1.为氮化铝(AlN)材料的基本特性 2 ALN 薄膜 氮化铝薄膜具有很多优异的物理化学性质,如高的击穿场强、高热导率、高电阻率、高化学和热稳定性以及良好的光学及力学性能,高质量的氮化铝薄膜还具有极高的超声传输速度、较小的声波损耗、相当大的压电耦合常数,与Si、GaS相近的热膨胀系数等特点。ALN独特的性质使它在机械、微电子、光学,以及电子元器件、声表面波器件(SAW)制造和高频宽带通信等领域有着广阔的应用前景。 ALN薄膜因其具有高硬度、高热传导率和抗高温、抗化学腐蚀性的特性，不仅应用在半导体上作为绝缘层，加上与 Si有相近的热膨胀系数，被认为是 IC 封装的最佳材料。还在射频和微波器件、散热器、以及多种用途的耐火材料、砂轮、刀具等方面有广泛的应用[6.11]。并且 AlN 薄膜作为一种宽带隙材料，已经证明其具有表面负电子亲和势（NEA），使电子易于逸出表面，因而在显示器镀层阴极方面具有明显的优势，是很好的电子场发射材料。而场发射性能的好坏是衡量显示器阴极材料品质的主要标准。 2.1 ALN薄膜的制备 目前,大多数成膜方法都已应用于ＡｌＮ薄膜的制备。其中比较成熟的主要有化学气相沉积法(ＣＶＤ)[12,13]、反应分子束外延法(ＭＢＥ)[14,15]、等离 子体辅助化学气相沉积法(ＰＡＣＶＤ)[16,17]、激光化学气相沉积法(ＬＣＶＤ)[18]、金属有机化合物化学气相沉积法(ＭＯＣＶＤ)[19,20]、脉冲激光沉积法(ＰＬＤ)[21]、磁控反应溅射法(ＭＲＳ)[22]和离子注入法(Ⅱ)[23]等。 2.2.1 化学气相沉积法(ＣＶＤ) 要使ＣＶＤ顺利进行,反应的生成物除了所需要的沉积物为固态外,其余都必须是气态;且在沉积温度下,反应物必须有足够高的蒸气压,基体本身的蒸气压应足够低,沉积物本身的蒸气压也应足够低,以保证在整个沉积反应过程中能使其保持在加热的基体上。化学气相沉积法制备的薄膜具有以下特点:1．所得的薄膜一般纯度很高、很致密,而且很容易形成结晶定向好的材料。2．能在较低的温度下制备难熔物质。3．便于制备各种单质或化合物材料以及各种复合材料。主要缺点是,需要在高温下反应,基片温度高,沉积速率较低,一般每小时只有几微米到几百微米,使用的设备较电镀法复杂,基体难于进行局部沉积,以及参加沉积反应的源和反应后的余气都有一定的毒性等,因此它的应用不如溅射镀膜那样广泛[24]。Ｋａｙａ,Ｋｉｙｏｓｈｉ[12,13]等人利用化学气相沉