低维度新颍半导体系统之研究（23）期中进度报告（精简版）.PDFVIP

行度 度 度精 類 行 年年 行 立理 論 理 年 此報告包含兩部份: 1. GaN 奈米晶體的光學性質之研究 本實驗中我們可以發現透過分子磊晶 (MBE)技術可以在偏鋁酸鋰(γ-LiAlO2) 的基板 上同時 成長出M-plane GaN的薄膜與 C-plane六角晶柱的 GaN 兩種不同 結構的 GaN ，藉由 X 光繞射(X-raydiffraction)及掃描式電子顯微鏡 (SEM)可以 發現樣品的中央區可以得到 M-plane的 GaN 薄膜與較多且完整的C-plane GaN 混合結構 ，而樣品的邊緣區大部分是較完整的 M-planeGaN 以