协会标准《电子工业用高纯氢氟酸》(讨论稿)编制说明.docVIP

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  • 2019-04-08 发布于天津
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协会标准《电子工业用高纯氢氟酸》(讨论稿)编制说明.doc

协会标准《电子工业用高纯氢氟酸》(讨论稿)编制说明.doc

PAGE PAGE 1 协会标准《电子工业用高纯氢氟酸》(讨论稿)编制说明 一、工作简况 1、项目背景和立项意义 近年来随着极大规模集成电路产业的发展,高纯氢氟酸的使用范围越来越广,使用量也越来越大,集成电路产业对氢氟酸的纯度要求也越来越高。国内生产氢氟酸的厂家很多,且产能也在不断的在扩大,但每个厂家对氢氟酸的技术指标规定不统一,执行标准也不一至,产品质量水平与国外先进水平相比较差,已不能满足极大规模集成电路产业发展的需求,因此,需要建立一个适用于集成电路产业用高纯氢氟酸的技术标准,促使国内企业提高高纯氢氟酸的产品质量,统一高纯氢氟酸的技术规格,为高纯氢氟酸的生产、销售、采购及使用提供参考依据,对促进我国极大规模集成电路产业发展具有重要的意义。 目前国外先进标准有《SEMI C28-0611 Specifications For Hydrofluoric Acid》,国内标准有《GB/T 620-2011化学试剂 氢氟酸》、《GB/T 7744-2008工业氢氟酸》、《GB/T 31369-2015太阳电池用电子级氢氟酸》、《HG/T 4509-2013工业高纯氢氟酸》,这些标准中规定的技术规格较低,已不能满足国内极大规模集成电路产业发展的需求。 2 任务来源 根据《关于下达2018年第一批协会标准制修订计划的通知》(中色协科字[2018] 23号)的要求,《电子工业用高纯氢氟酸》由青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司牵头负责起草,计划编号:2018-029-T/CNIA,要求于2019年完成。 3 标准项目编制单位简况 青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司为青海黄河上游水电开发有限责任公司的内部核算单位,负责电子级多晶硅项目的生产运营、市场销售及技术研发管理,目前公司已建成年产2500吨电子级多晶硅的改良西门子法工艺生产线。 我公司实验室为CNAS认可实验室,实验室总建筑面积1543平方米,实验室由公共服务区和10个功能实验室组成,实验室严格按照SEMI标准设计,按照ISO 4、ISO 5、ISO 8级标准建设了10个洁净检测室。具有多种先进的测试手段和检测能力,积累了丰富的生产和研究经验。设备力量雄厚,测试经验丰富。多年来我们承担了工信部关于《多晶硅行业准入测评》过程中几十家企业的硅材料产品样本的检测工作,工信部“十一五”电子信息产业发展基金《多晶硅生产副产物循环利用技术研发及产业化》项目的研发工作,国家科技重大专项《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》(02专项)电子级多晶硅材料研发项目,是目前国内唯一一家实现电子级多晶硅国产化销售且产品应用于集成电路行业的多晶硅企业。 分公司先后参加了多项国家标准、行业标准和协会标准的编制工作,具备了本标准编制及相关实验条件和分析能力。 4 主要工作过程 接到行业标准制定计划任务后,在全国有色金属标准化技术委员会的组织下,青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司成立了协会标准《电子工业用高纯氢氟酸》编制组,确定了编制组成员的任务分工和实验计划。编制组开展了相关国内外资料、标准的整理和研讨工作,编制完成《电子工业用高纯氢氟酸》预审稿。 二 标准编制原则和确定标准主要内容 编制原则 本标准按照GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分:标准的结构和编写》和GB/T 20001.10-2014《标准编写规则 第10部分: 产品标准》的要求进行编写。标准中简述了产品分级、要求、检验方法、检验规则、标志、标签、包装、运输和储存及安全等技术内容。 标准主要内容说明 范围 本标准规定了电子行业用高纯氢氟酸的分级、要求、检验方法、检验规则、标志、标签、包装、运输和储存及安全。 本标准适用于电子工业用高纯氢氟酸。该产品主要应用于电子级多晶硅、液晶显示器件、集成电路和超大规模集成电路用硅片、芯片的清洗、蚀刻等。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB 190 危险货物包装标志。 GB/T 191 包装储运图示标志。 GB/T 620 化学试剂 氢氟酸 GB/T 6678 化工产品采样总则。 GB/T 6680 液体化工产品采样通则。 GB/T 8170 数值俢约规则与极限数值的表示和判定。 SJ/T 11638-2016 电子化学品中颗粒的测试方法。 分子式和相对分子质量 分子式:HF 相对分子质量:20.01(按2011年国际相对原子质量) 电子工业用高纯氢氟酸按用途分为四个等级 电子工业用高纯氢氟酸按用途分为四个等级。 I级:主要用于N型高效太阳能电池及分立器件制造,线宽0.8μm~1.2μm集成

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