用霍尔法测直流圆线圈与亥姆霍兹线圈磁场讲义.docVIP

PAGE 0 PAGE 7 用霍尔法测直流圆线圈与亥姆霍兹线圈磁场 (FB511型霍尔法亥姆霍兹线圈磁场实验仪) 在工业、国防、科研中都需要对磁场进行测量，测量磁场的方法有不少，如冲击电流计法、霍尔效应法、核磁共振法、天平法、电磁感应法等等，本实验介绍霍尔效应法测磁场的方法，它具有测量原理简单，测量方法简便及测试灵敏度较高等优点。 【实验目的】 1．了解用霍尔效应法测量磁场的原理，掌握型霍尔法亥姆霍兹线圈磁场实验仪的使用方法。 2．了解载流圆线圈的径向磁场分布情况。 3．测量载流圆线圈和亥姆霍兹线圈的轴线上的磁场分布。 4．两平行线圈的间距改变为时,测定其轴线上的磁场分布。 【实验原理】 1．载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场 （1）载流圆线圈磁场 一半径为，通以直流电流的圆线圈，其轴线上离圆线圈中心距离为米处的磁感应强度的表达式为: 　 　　　　　 　　 　（1） 式中为圆线圈的匝数，为轴上某一点到圆心的距离， 磁场的分布图如图1所示，是一条单峰的关于轴对称的曲线。 本实验取在圆心，可算得磁感应强度为 ： （2）亥姆霍兹线圈 两个完全相同的圆线圈彼此平行且共轴，通以同方向电流，线圈间距等于线圈半径时，从磁感应强度分布曲线可以看出，（理论计算也可以证明）：两线圈合磁场在中心轴线上（两线圈圆心连线）附近较大范围内是均匀的，这样的一对线圈称为亥姆霍兹线圈，如图2所示。从分布曲线可以看出，在两线圈中心连线一段，出现一个平台，这说明该处是匀强磁场，这种匀强磁场在科学实验中应用十分广泛。比如，大家熟悉的显像管中的行偏转线圈和场偏转线圈就是根据实际情况经过适当变形的亥姆霍兹线圈。 2．利用霍尔效应测磁场的原理 霍尔元件的作用如 图3所示.若电流流过厚度为的矩形半导体薄片，且磁场垂直作用于该半导体 , 由于洛伦兹力作用电流方向会发生改变，这一现象称为霍尔效应，在薄片两个横向面、之间产生的电势差称为霍尔电势。该电势同时垂直于电流及磁场方向。 霍尔电势差是这样产生的：当电流通过霍尔元件（假设为型）时，空穴有一定的漂移速度 ，垂直磁场对运动 图3 电荷产生一个洛仑兹力 ： （2） 式中为电子电荷，洛仑兹力使电荷产生横向的偏转，由于样品有边界，所以偏转的载流子将在边界积累起来，产生一个横向电场，直到电场对载流子的作用力与磁场作用的洛仑兹力相抵消为止，即 （3） 这时电荷在样品中流动时不再偏转，霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。 如果是型样品，则横向电场与前者相反，所以型样品和型样品的霍尔电势差有不同的符号，据此可以判断霍尔元件的导电类型。 设型样品的载流子浓度为，宽度为，厚度为，通过样品的电流： ，则空穴的速度：代入（3）式有 （4） 上式两边各乘以 ，便得到 （5） 其中称为霍尔系数，在应用中一般写成： （6） 比例系数称为霍尔元件的灵敏度，单位为。一般要求愈大愈好。与载流子浓度成反比，半导体内载流子浓度远比金属载流子浓度小，所以都用半导体材料作为霍尔元件，与材料片厚成反比，为了增大值，霍尔元件都做得很薄，一般只有厚。由式（5）可以看出，知道了霍尔片的灵敏度，只要分别测出霍尔电流及霍尔电势差就可以算出磁场的大小，这就是霍尔效应测量磁场的原理。 【实验仪器】 型霍尔法亥姆霍兹线圈磁场实验仪1台，测试架1台。 【实验内容】 1．测量载流圆线圈轴线上磁场的分布： (1) 按载流圆线圈的要求，把型霍尔法亥姆霍兹线圈磁场实验仪与测试架正确连接（由于每只集成霍尔传感器的参数不可能完全一样，所以每套仪器的集成霍尔传感器探头与微特斯拉计是编号的，出厂时已配对调好切不可互换，否则会造成磁场测量结果不准确）。集成霍尔传感器探头固定在测试架移动平台上。出厂时霍尔片平面已调到与线圈轴线垂直,调节型霍尔法亥姆霍兹线圈磁场实验仪的电流调节，使励磁电流 ,在线圈磁场强度等于零的条件下，把微特斯拉计调零（目的是消除地磁场和其他环境杂散干扰磁场以及不平衡电势的影响），这样微特斯拉计就校准好了。（注意:如果测量过程中改变了测试架方向,需重复调零步骤。） (2) 型磁场实验仪测试架左边的线圈为固定线圈，固定在刻度尺零点（即处），把右边的可动线圈移动到合适的位置（中心作为坐标原点），方法是：先松开固定线圈用