无机非金属材料基础课件第十章士 烧结.ppt

烧结过程可以通过控制晶界移动而抑制晶粒的异常生长或通过控制表面扩散、晶界扩散和晶格扩散而充填气孔，用改变显微结构的方法使材料性能改善。 14.1 烧结概论 二、烧结示意图 三、相关概念的辩证 不同点： 固相反应发生化学反应，固相反应必须至少有两组元参加如A和B，最后生成化合物AB，AB结构与性能不同于A与B。 烧结不发生化学反应，可以只有单组元；或者两组元参加，但两组元并不发生化学反应，仅仅是在表面能驱动下，由粉体变成致密体。 实际生产中烧结、固相反应往往是同时穿插进行的。 近年来，在研制特种结构材料和功能材料的同时，产生了一些新型烧结方法。 如热压烧结，电火花烧结，热等静压烧结，微波烧结、反应烧结、活化烧结、松装烧结等。 四、烧结过程推动力 2、压力差 由此可见： 粉料愈细，由曲率引起的烧结动力愈大。 表面凹凸不平的固体颗粒，其凸处呈正压，凹处呈负压，故存在着使物质自凸处向凹处迁移。 参见P114内容 3、空位差 五、烧结模型 （B）模型是球型颗粒的点接触，但是烧结过程中心距离变小。 （C）模型是球型颗粒与平面的点接触，烧结过程中心距离也变小。 14.2 固态烧结 颈部增长只在开始时比较显著。随着烧结的进行．颈部增长很快就停止了。因此对这类传质过程用延长烧结时间不能达到促进烧结的效果。 随时间延长，固体颗粒表面曲率趋同，传质的动力减弱。 二、扩散传质 应力分布 无应力区：球体内部 压应力区：两球接触的中心部位 张应力区：颈部承受的应力 2. 空位浓度分析 在扩散传质中要达到颗粒中心距离缩短必须有物质向气孔迁移，气孔作为空位源，空位进行反向迁移。 扩散首先从空位浓度最大部位（颈表面）向空位浓度最低的部位（颗粒接触点）进行。 其次是颈部向颗粒内部扩散。 空位扩散即原子或离子的反向扩散。因此，扩散传质时，原子或离子由颗粒接触点向颈部迁移，达到气孔充填的结果。 3、扩散传质途径 当晶格内结构基元(原子或离子)移至颈部，原来结构基元所占位置成为新的空位，晶格内其它结构基元补充新出现的空位，就这样以这种“接力”的方式物质向内部传递而空位向外部转移。 空位在扩散传质中可以在以下三个部位消失，自由表面、内界面(晶界)和位错。 晶格内空位一旦移动到晶界上，结构基元的排列只需稍加调整空位就易消失。 随着颈部填充和颗粒接触点处结构基元的迁移出现了气孔的缩小和颗粒中心距逼近。表现在宏观上则为气孔率下降和坯体的收缩。 4、扩散传质三个阶段　　 烧结初期坯体内有大量连通气孔，表面扩散使颈部充填，促使孔隙表面光滑和气孔球形化。 由于表面扩散对孔隙的消失和烧结体的收缩无显著影响，因而这阶段坯体的气孔率大，收缩约在l％左右。 以扩散传质为主的初期烧结影响因素主要有 （2）中期阶段 此外，液相烧结过程的速率与液相数量、液相性质（粘度和表面张力等）、液相与固相润湿情况、固相在液相中的溶解度等等有密切的关系，影响因素复杂。 液相烧结模型简介 二、流动传质机理 烧结时粘性蠕变传质起决定性作用的仅是限于路程为0.01-0.1μm数量级的扩散，通常限于晶界区域或位错区域，尤其是在无外力作用下，烧结晶态物质形变只限于局部区域。 粘性蠕变使空位通过对称晶界上的刃型位错攀移而消失 位错的攀移指在热缺陷或外力作用下，位错线在垂直其滑移面方向上的运动，结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。 攀移的实质是多余半原子面的伸长或缩短。螺位错没有多余半原子面，故无攀移运动。 刃位错攀移示意图 粘性流动全过程的烧结速率公式 随着烧结的进行，坯体中的小气孔经过长时间烧结后，会逐渐缩小形成半径为r的封闭气孔。 这时每个闭口孤立气孔内部有一个负压力等于-2γ/r，相当于作用在坯体外面使其致密的一个正压。 麦肯基(J.K. Mackenzie)等推导了带有相等尺寸的孤立气孔的粘性流动坯体内的收缩率关系式。 利用近似法得出的方程式为: 2 塑性流动 三、溶解-沉淀传质机理 3、溶解-沉淀传质过程的推动力 过程1—颗粒重排 过程2—溶解-沉淀 第四节 晶粒生长与二次再结晶 B晶粒长大而A晶粒缩小，直至晶界平直化，界面两侧自由焓相等为止。 由此可见晶粒生长是晶界移动的结果，而不是简单的晶粒之间的粘结。 5、晶粒生长影响因素 晶界移动时遇到夹杂物。晶界为了通过夹杂物，界面能就被降低，降低的量正比于夹杂物的横截面积。 通过障碍