TFT-LCD制备课件整理.pptxVIP

TFT-LCD制备一、TFT阵列基板二、彩膜基板三、制屏工艺一、TFT阵列基板制作a-Si:H TFT的结构1、背沟道刻蚀型结构（主要介绍）优点：光刻次数少，材料成本低， 工艺节拍短缺点：刻蚀选择比小，a-Si:H要相 应做得厚些，一般为150- 200nm，工艺难度大，厚度 控制要严格。2、背沟道保护型结构优点：a-Si:H层可以做得较薄， 一般厚30-50nm，薄膜的 生产性好，关态电流小； 刻蚀选择比大，工艺简 单。缺点：多一次光刻，成本增加， 节拍时间长背沟道刻蚀结构a-Si:H TFT（有4次光刻法和5次光刻法，5次光刻法被广泛应用于2代以上的生产线，在此我们主要介绍5次光刻法）第一次光刻栅极第一次光刻栅线的金属材料一般有复层材料铝钕和钼（AlNd/Mo），铝钕和掺氮钼（AlNd/MoNx）等。要求有较好的热稳定性，物理、化学稳定性，为减小栅信号延迟电阻率要足够低，为增大开口率栅极，宽度越窄越好。工艺流程是：溅射前清洗——溅射——涂胶——曝光——显影——显影后检查——湿法刻蚀——刻蚀后检查——去胶——O/S检查。其中O/S是Open和Short的缩写，为断路和短路。经过光刻刻蚀后形成完好的第一次光刻的图形，断面必须刻蚀出具有一定角度的坡度角，否则容易出现跨断。第二次光刻有源岛第二次光刻形成a-Si:H有源岛，形成薄膜晶体管的有源层和偶木接触层，在栅极的上面形状像