半导体二极管58023.pptVIP

2.1 半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 2.1.2 三极管的开关特性 1．三极管的三种工作状态 二、二极管或门电路 四、组合逻辑门电路 2、或非门电路 2．3 CMOS门电路 工作原理 * * 第二章 门电路 2.1.1 二极管的开关特性 因为半导体二极管具有单向导电性，所以它相当于一个受外加电压极性控制的开关. 1.二极管静态开关特性 (a) 电路图 (b)输入高电平时的等效电路 (c)输入低电平时的等效电路 图2.1 二极管静态开关电路及其等效电路 2.二极管动态开关特性 在高速开关电路中，需要了解二极管导通与截止间的快速转换过程。 (a)? 电路图 (b) 输入脉冲电压波形 (c) 实际电路波形图2.2 二极管的动态开关特性 （1）截止状态：当VI小于三极管发射结死区电压时，IB＝ICBO≈0，IC＝ICEO≈0，VCE≈VCC，三极管工作在截止区，对应图1.4.5（b）中的A点。 三极管工作在截止状态的条件为：发射结反偏或小于死区电压 此时，若调节Rb↓，则IB↑，IC↑，VCE↓，工作点沿着负载线由A点→B点→C点→D点向上移动。在此期间，三极管工作在放大区， 其特点为IC＝βIB。 三极管工作在放大状态的条件为：发射结正偏，集电结反偏 （2）放大状态：当VI为正值且大于死区电压时，三极管导通。有 若再减小Rb，IB会继续增加，但IC已接近于最大值VCC/RC，不会再增加，三极管进入饱和状态。饱和时的VCE电压称为饱和压降VCES，其典型值为：VCES≈0.3V。 三极管工作在饱和状态的电流条件为：IB＞ IBS 电压条件为：集电结和发射结均正偏 （3）饱和状态：保持VI不变，继续减小Rb，当VCE ＝0.7V时，集电结变为零偏，称为临界饱和状态，对应图（b）中的E点。此时的集电极电流称为集电极饱和电流，用ICS表示，基极电流称为基极临界饱和电流，用IBS表示，有: 2.2 分立元器件门电路 一、二极管与门电路 （a）电路图 （B）逻辑符号 （C）工作波形 二极管与门的工作原理 （a）电路图 （B）逻辑符号 （C）工作波形 二极管或门的工作原理 1．与非门电路 与非门电路及其逻辑符号 （a）电路图 （b）逻辑符号 或非门电路及其逻辑符号 （a）电路图 （b）逻辑符号 一、CMOS反相器 ① 输入低电平: Ui=0, Uo=1 ② 输入高电平: Ui=1, Uo=0 二CMOS门电路 或非门 驱动管并联 负载管并联 或非：有1出0，全1出1 三.CMOS传输门 电路结构： 四．三态门 2．4 TTL集成与非门电路 如果把分立元件电路中的半导体器件、电阻、电容及导线等都制造在一个半导体基片（通常是硅片）上，构成一个完整的电路，封装在一个管壳内，就是集成门电路。基于半导体工艺的特点，集成电路中管子制造较容易，占芯片面积小，但电容和高阻值电阻制造较困难，占芯片面积较大。因此，在数字集成电路中，一般都避免使用电容和高阻值电阻，往往多用管子。 数字集成电路可以分成两大类：一类以双极型晶体管为基本器件，称为双极型数字集成电路，属于这一类的有TTL等；另一类以MOS晶体管为基本器件，称为MOS型（或单极型）数字集成电路，属于这一类的有NMOS和CMOS等。 数字集成电路按半导体器件： 按照集成度（即每一片硅片中所含元、器件数）的高低，可将集成电路分成小规模集成电路（small scale Integration,简称SSI），中规模集成电路（Medium Scale Integration,简称MSI），大规模集成电路（Large Scale Integration，简称LSI）和超大规模集成电路(Very Large Scale Integration，简称VLSI)。 * *