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小型记忆卡产业–COB封装 随着2006年插卡式手机的崛起，记忆卡规格为符合手机轻、薄的特性，尺寸必须不断微缩，目前micro SD规格大小已限缩到长、宽各约1cm、1.5cm，尤其是高度部分，更是缩短至0.7mm。因此，除了Flash制程微缩到50奈米，成卡的封装，也无法再使用过去的SMT制程，必须改采体积较小的COB封装制程。 COB封装 COB即Chip on Board的简称，是一种直接将芯片堆栈在载板上，打线后即封上外壳的制程，广泛被应用于各領域；优点在于体积小，可制作出SMT无法生产的小尺寸产品，且在量产良率稳定之后，成本相对低廉。 目前应用于记忆卡的COB封装技术，业界习惯依封装的Flash芯片數多寡，称之为1+1、1+2、1+4、1+8…..封装；其中「+」前的數字代表控制IC數目，通常为一颗；「+」后的數字则代表Flash芯片數，即1+1指的是一颗控制IC加上一颗Flash芯片的封装模式、1+2则指一颗控制IC加兩颗Flash芯片的封装模式，以此類推……。 堆栈技术的目的，在提高记忆卡容量，如一片2G micro SD卡的封装，可使用一颗控制IC加一颗2G Flash芯片的1+1制程；或选择一颗控制IC加兩颗1G Flash芯片的1+2制程；甚至是用512M芯片配合控制IC，堆栈成1+4的COB封装，亦能达到同样效能。甚至可以堆栈4片2G Flash芯片而获得