实验七霍尔效应.docVIP

实验七.霍尔效应 实验概述 实验目的及要求 霍尔效应原理及.霍尔元件有关参数的含义和作用 测绘霍尔元件的V—I，V—I曲线，了解霍尔电势差V与.霍尔元件工作电流I,磁感应强度B及励磁电流I之间的关系 学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布 仪器及用具 DH4512系列霍尔效应试验仪 实验原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，如图所示，磁场B位于z的正向，与之垂直的半导体薄皮上沿X正向通以电流I（称为工作电流），假设载流子为电子（N型半导体材料），它沿着与电流I相反的X负向运动。 由于洛仑兹力f作用，电子即向图中线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转，并使B侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力f的作用。随着电荷积累的增加，f增大，当两力大小相等（方向相反）时，f= —f，则电子积累使达到动态平衡。这时在A,B两端面之间建立的电场称为霍尔电场E，相应的电势差称为霍尔电势V. 设电子按均一速度,向图示的X负方向运动，在磁场B作用下，所受洛仑兹力为：f=-eB 式中：e为电子常量，为电子漂移平均速度，B为磁场应强度，同时，电场作用于电子的力为f=-e E=-