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1）概念: 电力电子器件（Power Electronic Device） ——可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路（Main Power Circuit） ——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 2）分类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管) 半导体器件 (采用的主要材料硅）仍然 一.电力电子器件概述 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。 电力电子器件一般都工作在开关状态。 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。 电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。 同处理信息的电子器件相比的一般特征： 电力电子系统：由控制电路、驱动电路、保护电路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。 图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成 在主电路和控制电路中附加一些电路，以保证电力电子器件和整个系统正常可靠运行 电气隔离 控制电路 半控型器件（Thyristor） ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 全控型器件（IGBT,MOSFET) ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关 断，又称自关断器件。 不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。 按照器件能够被控制的程度，分为以下三类： 电流驱动型 ——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。 电压驱动型 ——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。 按照驱动电路信号的性质，分为两类： 单极型 ——内部只有一种极性载流子参与导电，特点：开关速度快。（功率场效应管 MOSFET） 双极型 ——内部由电子和空穴两种载流子参与导电，特点：通态压降低，电流容量大。（晶闸管 SCR） 混合型 IGBT 按照内部载流单元，分为两类： 电力二极管 结构和原理： Power Diode结构简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用；快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位；基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样，以半导体PN结为基础；由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的；从外形上看，大功率的主要有螺栓型和平板型两种封装，小功率的和普通二极管一致。 图1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 PN结与电力二极管的工作原理 N型半导体和P型半导体结合后构成PN结。 图1-3 PN结的形成 PN结与电力二极管的工作原理 扩散运动和漂移运动最终达到动态平衡，正、负空间电荷量达到稳定值，形成了一个稳定的由空间电荷构成的范围，被称为空间电荷区，按所强调的角度不同也被称为耗尽层、阻挡层或势垒区。 空间电荷建立的电场被称为内电场或自建电场，其方向是阻止扩散运动的，另一方面又吸引对方区内的少子（对本区而言则为多子）向本区运动，即漂移运动。 交界处电子和空穴的浓度差别，造成了各区的多子向另一区的扩散运动，到对方区内成为少子，在界面两侧分别留下了带正、负电荷但不能任意移动的杂质离子。这些不能移动的正、负电荷称为空间电荷。 主要指其伏安特性 门槛电压UTO，正向电流IF开始明显增加所对应的电压。 与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF 。 承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。 图1-4 电力二极管的伏安特性 电力二极管的静态特性 关断过程 需经过一段短暂的时间才能获得反向阻断能力，进入截止状态： 在关断之前有反向电流出现，并伴随有反向电压过冲出现。 导通过程 电力二极管的正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如 2V）。这一动态过程时间被称为正向恢复时间TFR。 动态特性 电力二极管的种类： 标准工频型（或普通型）：恢复特性慢但可获得高的电压和电流定额。多用于工作频率要求不高的场合，如电力牵引、电镀、焊接等； 快恢复二极管：短恢复时间，适用于中等电压和电流范围，多用作高频开关，用于逆变和斩波电路； 肖特基势垒二极管：由金属半导体结构成，为多数载流子器件，它具有低导通电压和极短的开关时间。但反向漏电流大和阻断电压低是其缺点。主要用于高频、低压的场合，如小开关电源中。 三.半控器件—晶闸管 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产