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* * 光的反射、干涉、衍射与驻波 可反光的表面将入射光反射，并在光刻胶中于入射光发生干涉形成驻波现象。引起不均匀曝光。 * * * 9.2.5 显影 在显影过程中，正胶的曝光区和负胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解，而正胶的非曝光区和负胶的曝光区的光刻胶则不会在显影液中溶解。 曝光后在光刻胶层中形成的潜在图形，显影后便显现出来，在光刻胶上形成三维图形，这一步骤称为显影。 30～60 s * 显影后所留下的光刻胶图形将在后续的刻蚀或离子注入工艺中作为掩膜，因此，显影也是一步重要工艺。 显影效果主要因素包括：曝光时间、前烘的温度和时间、光刻胶的膜厚、显影液的浓度、显影液的温度、显影液的搅动情况等。 * 显影方式可以分为三个阶段： 硅片置与旋转台上旋转，并且在硅片表面上喷洒显影液； 硅片在静止的状态下进行显影； 显影完成之后，需要经过漂洗，之后再旋干。 * 9.2.6 坚膜 坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起的胶膜软化、溶胀现象，能使胶膜附着能力增强，抗腐蚀能力提高。 坚膜温度要高于前烘和曝光后烘烤温度，较高的坚膜温度可使坚膜后光刻胶中的溶剂含量更少，但增加了去胶时的困难。且光刻胶内部拉伸应力的增加会使光刻胶的附着性下降，因此必须适当的控制坚膜温度 。 10～30 min，100～140 ?C * 通过坚膜，光刻胶的附着力会得到提高，这是由于除掉了光刻胶中的溶剂，同时也是热融效应的结果，因为热融效应可以使光刻胶与硅片之间的接触面积达到最大。 较高的坚膜温度可使坚膜后光刻胶中的溶剂含量更少，但是增加了去胶的困难。而温度太高，光刻胶的内部拉伸应力会增加，会使光刻胶的附着性下降，所以必须适当控制温度。 * 坚膜后还需要光学稳定。通过光学稳定，使光刻胶在干法刻蚀过程中的抗蚀得到增强，而且还可以减少离子注入过程中从光刻胶中逸出的气体，防止在光刻层中形成气泡。 光学稳定是通过紫外光辐照和加热来完成的。 光学稳定可以使光刻胶产生均匀的交叉链接，提高光刻胶的抗刻蚀能力，进而提高刻蚀工艺的选择性。 * 集成电路制造技术 -原理与工艺 重庆邮电大学 微电子教研室 * * 光刻 光刻工艺、光刻技术、刻蚀 在半导体制造技术中，最为关键的是用于电路图形生成和复制的光刻技术，光刻技术的研究和开发，在每一代集成电路技术的更新中扮演着技术先导的作用。 随着集成电路的不断提高，光刻技术也面临着越来越多的难题。 * IC对光刻技术的要求 高分辨率 高灵敏度的光刻胶 低缺陷 精密的套刻精度：误差≤± 10%L 可对大尺寸硅片进行光刻加工 * 第9章 光刻工艺 就是将掩膜版（光刻版）上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感的薄膜材料（光刻胶）上去的工艺工程。 * 第9章 光刻工艺 9.1 概述 9.2 基本光刻工艺流程 9.3 光刻技术中的常见问题 * 9.1 概述 光刻(photolithography)就是将掩模版（光刻版）上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感薄膜材料（光刻胶）上去的工艺过程 。 光刻是微电子工艺中最重要的单项工艺之一。 用光刻图形来确定分立元器件和集成电路中的各个区域、如注入区、接触窗口和压焊区等。 * 用光刻工艺确定的光刻胶图并不是最后器件的构成部分，仅是图形的印模，为了制备出实际器件的结构图形，还必须再一次把光刻胶图形转移到光刻胶下面组成器件的材料层上。也就是使用能够对非掩膜部分进行选择性去除的刻蚀工艺来实现图形的转移。 光刻工艺的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在衬底表面的位置正确且与其他不见的关联正确。 * 9.1.1 分辨率 R 分辨率是指一个光学系统精确区分目标的能力。微图形加工的最小分辨率是指光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸或机器能充分打印出的区域。 分辨率是决定光刻系统最重要的指标，能分辨的线宽越小，分辨率越高。其由瑞利定律决定： 分辨率系数k1=0.6~0.8 数值孔径NA=0.16~0.8 提高分辨率： NA?，??，k1? * 使用光源缩小 l 光源 波长?(nm) 术语 技术节点 汞灯 436 g线 0.5mm 汞灯 365 i线 0.5/0.35mm KrF(激光) 248 DUV 0.25/0.13mm ArF (激光) 193 193DUV 90/65…32nm F2 (激光) 157 VUV CaF2 lenses 等离子体 13.5 EUV Reflective mirrors 光源 * 光刻分辨率 分辨率 R=1/2L (mm-1)； 直接用线宽L表示 存在物理极限，由衍射决定： L≥λ/2, Rmax ≤1/λ L L 光刻分辨率是