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离子辅助IAD IAD技术是在电子束蒸发的同时用离子束轰击，离子由离子源产生，离子束由栅极引出，电子枪和离子源各自独立工作。膜层在离子的轰击作用下获得能量，使结构得到改善。 反应离子镀 反应离子镀（RIP）是个混合蒸发的过程：在电子枪蒸发的同时，等离子体发生源灯丝与电子枪蒸发材料的坩埚之间产生放电，被引入的反应气体与蒸发材料都被部分电离为等离子体，并在电场中被加速，在气体放电中离子与离子、离子与电子发生碰撞并反应，在荷能粒子的轰击下薄膜凝结基底表面。 离子体增强的离子辅助技术 等离子源采用热阴极、筒状阳极及轴向发散形磁场，在辅助沉积过程中，放电气体(Ar气)进入APS源，放电产生的等离子体在交叉电磁场的作用下被拔出APS，并在电磁场作用下漂向基板，放电气体形成的等离子体形成一个园维体充满基板下的空间。这时充入反应气体(O2等)，等离子体电离并激活反应气体及从电子枪蒸发出的材料分子，并在基板上得到符合化学计量比的电介质薄膜。 * 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 薄 膜 光 学 ——蒸发工艺简介 APS1104 德国 Leybold 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 薄 膜 光 学 ——蒸发工艺简介 APS1104真空室内情况 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 薄 膜 光 学 ——蒸发工艺简介 镜片悬挂 机构 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 薄 膜 光 学 ——蒸发工艺简介 薄膜的聚集密度： P=薄膜中固体部分的体积：薄膜的总体积 薄膜的P在0.75～0.95之间，而大块材料P为1 牢固度和硬度、耐潮湿本领下降、光的散射和吸收损失加大导致耐激光损伤能力下降，折射率随外界环境发生变化 柱状结构 薄膜的为光结构与大块材料不同呈多孔的柱状结构 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 薄 膜 光 学 ——蒸发工艺简介 改进蒸发工艺、改善膜层的微观结构 基本的思路：附加一定的能量到被镀的表面上去，利用这些能量移开弱束缚的粒子，使达到基板的材料粒子有高的迁移率。由于附加了能量，膜料粒子可以穿透比较远的距离，去找到一个有比较强束缚的位置。从而使膜层的结构得到改善。 具体实施办法：在膜层沉积的同时，利用电子、光子、离子将能量附加到基底上去，这不仅有利于清洁被镀表面，也增加了膜层的致密度。 近十几年的趋势是利用荷能的离子完成基片清洁和改善膜层结构的任务 近20年来围绕电子束蒸发出现的三种先进蒸发工艺 离子辅助 反应离子镀 等离子体增强离子辅助 薄 膜 光 学 ——蒸发工艺简介 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 薄 膜 光 学 ——蒸发工艺简介 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 薄 膜 光 学 ——蒸发工艺简介 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 薄 膜 光 学 ——蒸发工艺简介 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 薄 膜 光 学 ——蒸发工艺简介 控制系统 时间 颜色 光学控制 石英晶体震荡控制 *
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