它是在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层然后用光刻工艺扩散.PPT

* §2.3 MOS场效应晶体管 场效应管 结型场效应三极管JFET 绝缘栅型场效应三极管IGFET Junction type Field Effect Transistor Insulated Gate Field Effect Transistor 分类 N沟道 P沟道 金属氧化物半导体三极管 MOSFET－ Metal Oxide Semiconductor FET 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 MOS管结构 动画2－3 以 N 沟道增强型MOS管 为 例 G－栅极（基极） S－源极（发射极） D－漏极（集电极） B－衬底 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极 MOS管工作原理 以N沟道增强型MOS管为例 正常放大时外加偏置电压的要求 问题：如果是P沟道，直流偏置应如何加？ 栅源电压VGS对iD的控制作用 VGSVTN时（ VTN 称为开启电压) VGS＞VTN时(形成反型层) (动画2-4） 当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 0＜VGS＜VTN时，SiO2中产生一垂直于表面的电场，P型表面上感应出现许多电子，但电子数量有限,不能形成沟道。 当VGS＞VTN时