硅纳米线热导率边缘效应的键弛豫理论研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

分类号 分类号 密级 学校代码 10542 学号2Q12Q21 1Q窆15 硅纳米线热导率边缘效应 的键弛豫理论研究 Atomic--Bond—·Relaxation Theory for End Effect on Si Nanowire Thermal Conductivity 研究 生姓名 指导教师姓名、职称 学 科 专 业 研 究 方 向 湖南师范大学学位评定委员会办公室 二零一五年五月 万方数据 摘 摘 要 随着世界能源危机以及环境污染的日益严重，对新型热电材料的 探索受到了人们的关注与重视，使得热电材料已经成为纳米材料科学 和凝聚态物理学研究的前沿和热点课题之一。作为一种新型的热电材 料，硅纳米线结构已经成为科学家们关注的目标。与相应的体材料相 比，硅纳米线表现出了一些奇特的物理和化学性质。例如：纳米线体 系边缘部分原子具有的高配位缺陷和异常能态，将影响体系的力、热、 光和电子学等性能。在影响硅纳米线热电性质的参数当中，热导率是 一个极其重要的物理参量。对此，科学家们在降低硅纳米线热导率中 取得了相当多的进展，但是，也存在不少没有解决的问题，比如：纳 米线表面粗糙度的定义、界面调制等等。 因此，在本论文中，基于原子键弛豫理论和连续介质力学理论， 建立了尺度和表／界面参数依赖的硅纳米线热导率模型。在此基础上， 系统阐述了边缘效应(包括不同表