多晶硅还原炉内流场及温度场的研究-化学工业与工程-天津大学.PDF

２０１４年１１月 化　 学　 工　 业　 与　 工　 程 第３１卷 第６期 　 Ｎｏｖ． ２０１４ ＣＨＥＭＩＣＡＬ　 ＩＮＤＵＳＴＲＹ　 ＡＮＤ　 ＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ Ｖｏｌ．３１ Ｎｏ．６ 　 　 ｄｏｉ：１０．１３３５３／ ｊ．ｉｓｓｎ．１００４．９５３３．２０１４．０６．０１３ 多晶硅还原炉内流场及温度场的研究 段　 连，周　 阳，刘春江∗ （天津大学化工学院化学工程联合国家重点实验室，天津３０００７２） 摘要：多晶硅还原炉（ＣＶＤ ｒｅａｃｔｏｒ）是西门子法生产多晶硅的主要设备。 硅在多晶硅还原炉（ＣＶＤ ｒｅａｃｔｏｒ）内的生长是一个复杂的过程，涉及动量、热量、质量传递以及化学反应，炉内流体流动分布 是影响还原能耗的关键因素。 在这项研究中主要考虑如何提高还原炉中流场和温度场的均匀性。 提出了一种新的还原炉设计方案，与传统的多晶硅还原炉相比，在新的还原炉内加入了内罩，从而 形成了一种不同的气体流动方式。 在新的还原炉内，气体进口和气体出口被划分到不同的区域， 气体从气体进口进入ＣＶＤ ｒｅａｃｔｏｒ后向上流动同时参与气相沉积反应，反应后通过内罩的顶部，最 后从气体出口流出。 研究重点是内罩结构的设计，以期可以提高还原炉内部流场及温度的均匀 性。 通过计算流体力学研究，现在水平方向上温度梯度很小，同时有效地减小了回流区域面积。 本研究提供了提高多晶硅还原炉内部流场及温度场均匀性的方法。 关键词：多晶硅还原炉；流场；温度场；计算流体力学 中图分类号：ＴＱ１２７２　 文献标志码：Ａ　 文章编号：１００４ －９５３３（２０１４）０６－００６９－０６ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｆ Ｆｌｏｗ Ｆｉｅｌｄ ａｎｄ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｆｉｅｌｄ ｉｎ ｔｈｅ ＣＶＤ Ｒｅａｃｔｏｒ Ｄｕａｎ Ｌｉａｎ，Ｚｈｏｕ Ｙａｎｇ，Ｌｉｕ Ｃｈｕｎｊｉａｎｇ∗ （Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｓｔａｔｅ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｔｉａｎｊｉｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ３０００７２，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ Ｓｉｅｍｅｎｓ ｐｒｏｃｅｓｓ ｗａｓ ｅｘｔｅｎｓｉｖｅｌｙ ａｐｐｌｉｅｄ ｔｏ ｔｈｅ ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ． Ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｓｉ ｆｒｏｍ ＳｉＨＣｌ ｉｎ Ｈ ｂｙ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ）ｔａｋｅｓｐｌａｃｅ ｉｎ ｔｈｅ ＣＶＤｒｅａｃｔｏｒ，ｉｔ ａｃ⁃ ３ ２ ｃｏｍｐａｎｉｅｓｗｉｔｈｍｏｍｅｎｔｕｍ，ｈｅａｔ，ｍａｓｓｔｒａｎｓｆｅｒｐｒｏｃｅｓｓｅｓａｎｄｃｈｅｍｉｃａｌｒｅａｃｔｉｏｎ． Ａｇｏｏｄｃｏｍｐｒｏｍｉｓｅｂｅ⁃ ｔｗｅｅｎ ｉｎｔｅｒｎａｌ ｆｌｏｗｆｉｅｌｄａｎｄｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｆｉｅｌｄｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙｈａｓｇｒｅａｔｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｎｔｈｅｅｎｅｒｇｙｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎｏｆ ＣＶＤ ｒｅａｃｔｏｒ． Ｉｎ ｔｈｉｓ ｓｔｕｄｙ，ａ ｎｅｗ ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ＣＶＤ ｒｅａｃｔｏｒ ｗａｓ ｐｒｏｐｏｓｅｄ． Ａ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｆｌｏｗ ｐａｔｔｅｒｎ ｆｏｒｍｅｄ ｄｕｅ ｔｏ ｓｅｔｔｉｎｇ ａ ｓｈｉｅｌｄ ｉｎ ｔｈｅ ｒｅａｃｔｏｒ． Ｔｈｅ ｓｈｉｅｌｄ ｄｉｖｉｄｅｓ ｔｈｅ ｇａｓ ｉｎｌｅｔｓ ａｎｄ ｏｕｔｌｅｔｓ ｉｎｔｏ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｚｏｎｅｓ ｃｏｍｐａｒｅｄ ｗｉｔｈ ｔｒａｄ