过渡金属掺杂ZnO纳米材料的合成与光学性能研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

摘要ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料，室温下激子束缚能很高，具有优良的物理和 摘要 ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料，室温下激子束缚能很高，具有优良的物理和 化学性质，是重要的光电子材料。纳米结构的ZnO是构建纳米光电子器件的基元，通 过杂质离子掺杂能有效控制其光电性能。本文主要采用不同的方法合成过渡金属掺杂 ZnO纳米材料，并采用多种表征手段研究了其结构及光学性能，主要工作内容如下： 1、采用简单的水相共沉淀法及高温烧结反应制备了不同Co掺杂浓度的ZnO纳米 晶。XRD和拉曼分析结果表明当掺杂浓度较低时Co离子进入了ZnO晶格中，并且没 有形成杂相；当掺杂浓度大于5％时检测到了C0304杂相，这表明Co离子在我们所制备 的样品中固溶度小于5％。所有的掺杂样品在566 nm，609 nIn，654 nm处出现了吸收峰， 是由Co离子在四面体晶体场中能级劈裂引起的，分别对应于4A2(F)-2E(G)，4A2(F)．叶l(P)， 4A2(F)．4A】(G)的跃迁。掺杂样品的光致发光谱在685 nln处出现了与Co杂质能级相关的 发光峰，这表明部分Co离子进入ZnO品格中成功替代了zn离子位置并在ZnO禁带中 形成了相应的杂质能级。 2、采用溶剂热法制各了不同Cu掺杂浓度的ZnO纳米材料，研究了掺杂浓度、反应 温度对ZnO晶体结构、形貌及光学性能的影响。实验结果表明，随掺杂浓度的增加