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不同的内反馈调速技术方案比较 方案1：可控硅串激调速 方案2：可控硅斩波调速 方案3： IGBT斩波调速（SN6100系列） 一次 电路 方案 和 结构比较 方案 简 述 1 启动部分： 频敏变阻器 2 没有斩波器 3 用可控硅制作逆变器 1 启动部分： 频敏变阻器 2 用可控硅制作斩波器 3 用可控硅制作逆变器 1启动部分： 液态电阻启动器 2用IGBT模块制作斩波器 3用IGBT模块制作逆变器 采用元件 差别 整流元件：国产平板二极管 逆变器元件：国产平板型可控硅 1．整流元件：国产平板二极管 2．斩波器元件：国产平板型可控硅 3．逆变器元件：国产平板型可控硅 全部元件模块结构，其中： 1．整流元件： 二极管模块瑞士芯片 2．斩波器元件：德国eupecIGBT模块 3．逆变器元件：德国eupecIGBT模块 结构差别 平板型元件的散热器是带电的，因此安装时须将散热器悬空或利用绝缘子支撑起来，元件在散热器的中心，整体置于风道内 同左项 IGBT 元件的底版与导电部分是绝缘的，因此散热器是接地的，所以将散热器固定在风道中，元件安装在散热器的表面，元件处于风道之外 先进性 串激调速的最初方案产品 串激调速的改进方案 最先进方案产品 调速方法差别 通过改变逆变器的逆变角?来调速 通过改变斩波器的占空比来调速 通过改变斩波器的占空比来调速 性 能 比 较 谐波干扰 逆变角 ?是变数