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光电子 激光
第 卷第 期 年 月 ·
24 10 2013 10 Vol.24No.10 October2013
JournalofO toelectronics Laser
p
衬底退火温度对ZnO纳米结构形貌和发光特
性的影响
* ?
, , , ,
陈速娟 郑卫峰 林算治 瞿 燕 赖发春
( , )
福建师范大学物理与能源学院 福建福州 350007
: , / ( )/ 。
摘要 利用热蒸发 粉的方法 在 掺铝氧化锌 石英衬底上生长 纳米结构 为了
Zn Au AZO ZnO
, / /
研究不同温度退火后的衬底对生长的 ZnO 纳米结构的影响 Au AZO 石英衬底在生长纳米结构
n
、 。 / / ( )
前分别在 和 真空下退火 石英衬底的表面形貌用原子力显微镜 观
300 500 700 ℃ Au AZO AFM
。 、 ( )、 ( )、
测 纳米结构的微结构 形貌和光学性能分别用 射线衍射 扫描电子显微镜
ZnO X XRD cSEM
( ) 。 ,
透射电子显微镜 TEM 和荧光光谱仪进行测量 结果表明 在未退火和 300 ℃退火衬底上生长了
.
, 。
大量的 ZnO纳米棒 而在 500 ℃和 700 ℃退火衬底上沉积了大量 ZnO纳米颗粒 单晶结构的纳米
, ( ) 。
棒的平均直径分别约 50nm和 80nm 其生长机制为蒸气 液体 固体 VLS 生长机制 荧光光谱显
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