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物 理 学 报   Acta  Phys.  Sin.   Vol. 68, No. 8 (2019)    087101   内在缺陷与Cu 掺杂共存对ZnO 电磁光学性质 影响的第一性原理研究* 1)2)† 1) 1) 2) 张梅玲     陈玉红     张材荣     李公平 1) (兰州理工大学理学院, 兰州　730050) 2) (兰州大学核科学与技术学院, 兰州　730000) (2018 年12 月20 日收到; 2019 年2 月20 日收到修改稿) 采用基于自旋密度泛函理论的平面波超软赝势方法, 研究了Cu掺杂ZnO (简称Cu )与内在缺陷共存 Zn 对ZnO电磁光性质的影响. 结果表明, Cu是以替位受主的形式掺入的; 制备条件对Cu 及内在缺陷的形成 Zn 起至关重要的作用, 富氧条件下Cu掺杂有利于内在缺陷的形成, 且Cu -O 最易形成; 相反在缺氧条件下, Zn i Cu掺杂不利于内在缺陷的形成. 替位 Cu的3d电子在价带顶形成未占据受主能级, 产生p导电类型. 与 Cu 体系相比, Cu -V 体系中载流子浓度降低, 导电性变差; Cu -V 体系中载流子浓度几乎不变, 对导电 Zn Zn O Zn Zn 性没影响; Cu -O 体系中载流子浓度升高, 导电性增强. 纯ZnO体系无磁性; 而Cu掺杂ZnO体系, 与Cu原 Zn i 子相连的O原子, 电负性越小, 键长越短, 对磁矩贡献越大; Cu 与Cu -O 体系中的磁矩主要是Cu的3d电 Zn Zn i 子与Z 轴上O的2p 电子耦合产生的; Cu 中存在空位缺陷(V , V )时, 磁矩主要是Cu 3d电子与X Y平面 Zn O Zn 内O的2p 电子强烈耦合所致; Cu 中存在V 时, 磁性还包含V 周围O(5, 6)号原子2p轨道自旋极化的 Zn Zn Zn 贡献; 所有体系中Zn原子自旋对称, 不产生磁性. Cu -V 和Cu -O 缺陷能态中, 深能级中产生的诱导态 Zn Zn Zn i 是O-O 2s电子相互作用产生的. Cu 模型的光学