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硼酸对赖氨酸盐酸盐在半胱氨酸自组装膜上晶体生长的影响-应用化学
第29卷 第9期 应 用 化 学 Vol.29Iss.9
2012年9月 CHINESEJOURNALOFAPPLIEDCHEMISTRY Sep.2012
硼酸对赖氨酸盐酸盐在半胱氨酸
自组装膜上晶体生长的影响
李慧晶 王海水
(华南理工大学化学与化工学院 广州510640)
摘 要 研究了利用半胱氨酸自组装膜对诱导L赖氨酸盐酸盐晶体生长的影响。实验发现,赖氨酸盐酸盐优
先在水溶液内而不是在自组装膜表面成核生长为晶体,这是首次发现自组装单层对赖氨酸盐酸盐的成核有
抑制作用。对自组装单层上的成核机理进行了探讨,2种氨基酸正电荷间的排斥作用可能是自组装膜抑制赖
氨酸盐酸盐成核的原因。在赖氨酸盐酸盐溶液中加入了等摩尔硼酸,XRD结果表明,硼酸晶体优先生长在自
组装单层上。而析出后的硼酸晶体又加速促进了赖氨酸盐酸盐的结晶析出。扫描电子显微镜表征发现,加入
硼酸后赖氨酸盐酸盐晶体的形貌发生了很大变化,由原来的块状变为针状。实验结果表明,加入硼酸,可以加
速赖氨酸盐酸盐的晶体生长并可以调控晶体的形貌和取向。
关键词 自组装单层,半胱氨酸,赖氨酸盐酸盐,硼酸,晶体生长
中图分类号:O629.7 文献标识码:A 文章编号:10000518(2012)09104105
DOI:10.3724/SP.J.1095.2012.00426
自组装单层(SAM)技术通过化学反应将溶液中的活性物质吸附到固体衬底表面,形成化学键合
[1]
的、紧密排列的二维有序单分子层 。自组装单层可以用来诱导无机或有机晶体的生长,并可以对晶体
[24]
的晶型、尺寸、形貌和晶体取向等进行调控,因此,在控制晶体的成核和生长中得到广泛研究 。
半胱氨酸是含有巯基的氨基酸,其巯基能与金表面结合形成自组装膜,半胱氨酸末端基团—NH或
2
—COOH暴露在自组装单层的外端,与结晶物质间因静电引力、氢键及晶格匹配等效应而诱导结晶物质
的成核和晶体生长。利用半胱氨酸自组装单层诱导氨基酸生长的研究已经引起了广泛的关注。半胱氨
[5] [6] [7] [8]
酸膜能诱导谷氨酸 、缬氨酸 、组氨酸 和苯丙氨酸 等氨基酸晶体的生长。上述文献主要研究手
[913]
性选择问题。此外,半胱氨酸自组装膜的成膜机制也是研究的热点之一 。
L赖氨酸盐酸盐(2,6二氨基己酸盐酸盐,CH NO·HCl,Lys·HCl)在医药、食品和饲料工业上有
6 14 2 2
[14]
着广泛的应用 。因此研究赖氨酸盐酸盐的结晶生长,获得晶面取向和外貌形状可控的晶体具有实际
[15]
意义。通常情况下,赖氨酸盐酸盐以单斜晶系存在,属于P2空间群,晶胞参数 为a=058842nm,
1
b=133357nm,c=075011nm;=90°, =9760°,=90°。
α β γ
目前赖氨酸盐酸盐晶体的制备普遍采用缓慢蒸发技术,在恒温下缓慢蒸发溶剂达到过饱和从而析
[16]
出晶体。Babu等 在水溶液和V(水)∶V(乙醇)=1∶1的赖氨酸盐酸盐饱和溶
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