较高气压下激光烧蚀等离子体的动力学特性.PDF

第10卷第3期 黄山学院学报 V01．10．NO．3 2008年6月 JournalofHuangshanUniversity Jun．2008 较高气压下激光烧蚀等离子体的动力学特性 许媛m (1．黄山学院应用物理研究所，安徽黄山245021；2．黄山学院信息工程学院。安徽黄山245021) 子体屏蔽现象的出现几乎不产生影响；背景气压的增大抑制了粒子的扩散。使等离子体的膨胀速度减小，限 制了其膨胀的空间。 关键词：等离子体；数值模拟；脉冲激光烧蚀；晶体Ge 中图分类号：0411．3．TN249文献标识码：A 文章编号：1672—447X(2008)03—0027一04 Chen和Annemie Bogaerts等人【4l在原真空烧蚀模型 的基础上，提出了纳秒级脉冲激光在1atmHe气 环境下烧蚀铜靶的模型，阁分析了在]arm下背景环 脉冲激光烧蚀技术是利用聚焦的高能脉冲激 境对烧蚀过程的影响。161但至今为止，绝大多数模型 光束辐射靶材表面，使作用区域的材料被迅速加热 还是建立在脉冲激光烧蚀金属导体的基础上，对激 熔化蒸发，随后冷却结晶，可以用于材料去除，也可 光烧蚀半导体的过程及机理的研究非常少。 作为材料制备技术，其应用非常广泛。对应不同的 本文在激光与半导体相互作用理论的基础上， 应用过程，激光烧蚀所需的背景环境(气压，气体成 分析导体、半导体、绝缘体的能带结构。建立了一维 分，气流)也不同。【1l所以，了解脉冲激光烧蚀过程中 的半导体激光烧蚀模型。研究了较高气压对烧蚀过 背景环境对等离子体的动力学特性演化过程的影 程以及等离子体膨胀的影响，并与早期的工作进行 响，对于优化参数。控制实验是非常重要的。建立数 比较。f7l 值模型是目前最经济且有效的方法。 与真空环境中膨胀过程相比，等离子体在背景 2理论模型的描述 气体环境下的膨胀过程要复杂得多。膨胀过程不仅 与背景气体的成分和压强有关，而且同时存在几个 物质对激光的吸收与其电子能带结构有关，对 物理过程．如蒸气粒子和背景气体粒子的碰撞、两 不同类型(导体，半导体，绝缘体)的材料，激光烧蚀 种不同粒子之间的相互扩散等。部分研究人员提出 机制也不相同。Ge的禁带宽度为0．67eV。对于波长 了烧t虫蒸汽与背景气体相互作用的模型，12．3嗜B是针 对背景气体压强在100pa以下的情况，背景气体对的禁带宽度。能直接激发Ge的价带电子向导带跃 迁．本文利用Ge的各向同性以及电子电离能级分 烧蚀蒸汽膨胀的影响较小。2005年，Zhaoyang 收稿Et期：2008-03-02 基金项目：黄山学院科研基金资助项目(2007xkjq005) 作者简介：许媛(1982-)，安徽黄山人，黄山学院信息工程学院教师．硕士。研究方向为激光等离子体数值模拟。 万方数据 ·28· 黄山学院学报 2008鼻 Chen了等离子体屏蔽现象。这与文献I，J中低气压下的计 布和金属导体非常桐似的特点，在Zhaoyang 和Annemie Bogaerts等提出的金属导体激光烧蚀模 型16I的基砌上发展了一维半导体激光烧蚀模型，[71对时，等离子体屏蔽现象出现的时刻差不多，由此可 波长为248nm的高斯型脉冲激光烧蚀晶体Ge和等推断在惰性气体环境下。气压在1 离子体在背景气体(He)环境下膨胀的动力学性质