熔石英后表面坑点型划痕对光场调制的近场模拟.docVIP

熔石英后表面坑点型划痕对光场调制的近场模拟? ? 国家高技术研究发展计划 (批准号：2008AA8040508)，中央高校基本科研业务费专项资金 (批准号：ZYGX2009X007)，自然科学基金联合基金(批准号资助的课题. 章春来1) 王治国1) ? 通讯联系人. E-mail：zgwang@ 向霞1) 刘春明1) 2) 李莉1) 袁晓东2) 贺少勃2) ? 通讯联系人. E-mail：zgwang@ 1) （电子科技大学物理电子学院，成都 610054） 2） (中国工程物理研究院激光聚变研究中心，绵阳 621900) 建立了坑点型划痕的旋转抛物面模型，用3维时域有限差分方法研究了熔石英后表面坑点型划痕随宽度、深度、间距以及酸蚀量变化对355nm入射激光的调制。研究表明，这类划痕调制最强区位于相邻两坑点连接区，且越靠近表面调制越强。在其宽深比为2.0~3.5，坑点间距约为宽的1/2强时，可获得最大光场调制，最大的光强调制因子（LIEF）为11.53；当坑点间距大于其宽度时，其调制大为减弱，相当于单坑的场调制。对宽为60δ，深和间距均为30δ的坑点划痕进行刻蚀模拟，刻蚀过程中最大LIEF为11.0，当间距小于300nm时，相邻坑点由于衍射形成场贯通。 关键词: 熔石英，坑点型划痕，激光辐照，时域有限差分 PACS: 42.70.Ce，46.15.-x，42.62.-b，42.60.Jf 1. 引言 在大型高功率固体激光器的建设过程中，熔石英是应用最为普遍的光学材料，这一点可从美国国家点火装置（National Ignition Facility，NIF）和法国Laser MégaJoule（LMJ）装置获悉[1-4]。在强紫外激光作用下，熔石英元件极易损伤，更为严重的是，损伤具有自加速效应：初始损伤一旦发生，将会弱化材料的力学、光学、热学等性能，使其更易损伤[5]。激光导致的损伤大大降低了熔石英元件的负载能力，已成为限制系统输出能力的一个主要因素[6]。光学元件的激光诱导损伤包括表面损伤和体损伤，随着材料加工工艺的不断改进，熔石英块体内基本上可以做到不含有杂质和缺陷，故发生体损伤的几率很小[7,8]。目前，光学元件的损伤以表面损伤为主，表面损伤与元件加工质量和表面吸附的杂质、水蒸气等污染物有关，在一定激光参数条件下，熔石英表面和亚表面缺陷是激光诱导表面损伤的主要原因[9,10]。 石英元件在研磨、抛光等加工过程中，抛光粉与表面接触容易诱导划痕缺陷[9]，亚表面划痕对光场调制可采用时域有限差分（FDTD）方法进行模拟[11]。坑点型划痕是抛光粉棱角与石英表面接触时，受力不均，类似于在表面“跳动”抛光所致，根据不同的情况，坑点的间距略有差异，甚至坑点间偶有贯通现象，形成连续的均匀起伏的排列。王凤蕊等人将其等效为二维的余弦函数模型，用2维FDTD方法研究了这类划痕的对355nm入射激光的调制，指出在宽深比值为2.5～12的变化范围内获得的最大的场增强因子约7.4，且呈减小趋势[12]。鉴于其对称性，作者认为若非是无限长且截面光滑的横向划痕，简化为2维模型显然会使最终结论小于实际结果。另外该文未给出这类划痕可能出现的最大的光强增强因子（LIEF），未给出最可能引起损伤的宽深比范围以及坑点间距，同时也没有研究酸刻蚀以后对光场调制带来的影响。本文将单坑简化为3维旋转抛物面模型，用3维FDTD方法系统研究了这类划痕的深度效应、宽度效应、间距效应以及刻蚀过程等对其光场调制的影响，以期能为熔石英亚表面多划痕诱导场致损伤的量化问题起到抛砖引玉的作用。 2. 物理模型与计算方法 选取康宁公司生产的Corning 7980熔石英样品，放入PH值约5的HF酸缓冲溶液中进行酸蚀，刻蚀完成后立即取出，迅速用去离子水冲洗，然后用无水乙醇进行脱水。对酸蚀前后熔石英亚表面同一条坑点型划痕的同一段区域进行原子力显微镜（XEI-100）测试。如图1所示，刻蚀前该测试段坑点大小较为均匀，横截面光滑，所有坑点呈直线排列且坑点间相距一定的距离；经10min酸蚀后坑点间距缩小，相邻两坑点逐渐贯通。刻蚀后单坑宽度增加了近150nm，深度增加了近200nm。 (b) 刻蚀后 (b) 刻蚀后 (a) 刻蚀前 径向/ μm切向/ μm切向径 径向/ μm 切向/ μm 切向 径向 深度/ nm 深度/ nm 图1 同一坑点型划痕刻蚀前后的原子力显微图 基于此，建立如下计算模型：坑点型划痕的单坑呈完美对称的旋转抛物面，所有坑点全等、呈直线分布且相距相等的距离，模型如图2(a)。设其宽为a，深为b，坑点间距为c。为了后文描述的方便，将几个对称截面定义如下：垂直于x轴且沿着间距c的截面称为α面；垂直于y轴且垂直平分间距c的截面称为β面；垂直于z轴的截面称为γ面（γ面