采用Gauss94量子化学程序实施团簇嵌入离子晶体-计算物理.PDF

计 算 物 理 第】9卷第3期 、d旧№3 2002年5月 CHINESEJOURNALOFCOMPUTATl0NALPHYSICS M。。，2002 [文章编号]100l一246x(2002)03—0234—05 采用Gauss 94量子化学程序实施团簇嵌入离子晶体 黄桂芹 南京大学物理系．江苏南京2l伽93) [摘要】在Gauss94基础卜提出了一种团簇嵌人晶格技术，朗簇中的电子和桉都处于周围无限夫品格产生的库 仑场中．J牟仑势由Ewald方法计算对相应的单电子Han·tlto，，算符及团簇系统总能屠进行r修改应用此嵌入技术 值符合得较好，说明r此种嵌人技术是切实可行的 [美键词】F心；杂质；从头计筲；离子晶体 [中围分类号]077 [文献标识码]A 嗣的选取具有人为性，其选取原则是使得在团簇内 O 引言 几个特殊点处计算出的马德隆势在去除团簇内其它 Gauss系统软件包具有强大的量子化学从头计离子对势的贡献后尽可能与处在无限晶格情况下接 近．但对团簇内的一般位置很难同时满足马德隆势 算功能，如IIanree—Fock(HF)自治场方法，组态相互 的要求，而这对团簇位形驰豫后的情形很重要．计算 作用方法(cI)，M011er-P1es州微扰论法(MP2，MP3， MP4)，也有较先进的多组态的完全激活空问白洽场 马德隆势时，外部晶格离子由点离子表示，但在后来 的计算中外部晶格离子由高斯型电荷分布来表示， (cAsscF)方法．然而Gauss程序的出发点是量子化 学理论，用来计算分子团簇的各种物理及化学性质 且为了使作用在完整晶格位形下团簇离子上的净力 因此，它本身目前还缺少复杂的匈簇嵌入晶体技术． 为零，外部电荷及高斯指数需进行自洽调整电荷调 对离子晶体中缺陷问题的理论研究常用～个有 整后还能否保证马德隆势的要求?此外，在保持原 限的团簇模型来模拟计算，模拟的关键问题是如何 有晶格对称性情况下，整个范围具有电中性的要求 考虑团簇外的晶格对缺陷的作用．比较粗糙的模型 也很难得到满足”1． 仅考虑缺陷和周围近邻离子的作用，也有的把周围 本文在c94软件包基础上提出了一种团簇嵌 无限晶格用有限的点电荷取代”．目前比较先进的 人晶格的方法，与前人工作的最主要的差异在于对 wilh 团簇嵌入晶格方法是IcEcAP(Ioniccrys【al Elec． tmnic 出的在G92基础上的嵌入方法中，把团簇周围的无 cluster；AutomaIicPm舯m)程序系统”1及kwan— 限晶格用有限的(大约几百个)位于格点的高斯电荷 dowski等人”。在c92基础上的嵌入方法IcE—cAP中 分布来表示．这一处理方法的不足之处前面已论述． 外部晶格用经典的壳层模型来处理．然而，lcEcAP 中关丁分于团簇的量子化学计算功能远没有(；auss在本文提出的嵌入技术中，团簇内的电子和核都处 于团簇外固定的无限晶格离子产生的库仑场中，感 量子化学程序包强大．在kwandowski等人提出的 G92基