核分析原理及技术第七章.pptVIP

高能所22Na 慢正电子束流装置 S: 22Na源 P: 铅屏蔽 M: 钨慢化体 T: 靶材料 基于北京正负电子对撞机的强流慢正电子束流装置 §3. 应用 一、空位形成焓的测定 正电子湮没参数在整个温度范围内是S形变化 平衡空位浓度Cv?T ?、S、H等参数?T 热平衡态下的空位浓度 Hv 空位形成焓 k是波尔兹曼常数 T是温度 A为常数 根据捕获模型有 整理得 在不同温度下进行寿命测量，就能求出空位形成焓Hv 二、退火效应 冷轧Fe-Ni-Co-Cu退火再结晶过程 在200?C和650?C，?b明显下降，对应于硬度只在650?C下降。硬度只与位错有关。故650?C对应于位错的消失，而200?C对应于空位的消失。 三、Open volume defects of super-conducting thin film YBa2Cu3O7-? 空位型缺陷与沉积条件的关系 The positron lifetime as a function of implantation energy at room temperature for epitaxial superconducting thin-film YBa2Cu3O7?x prepared by pulsed laser deposition. Ts = 750 C, Pa = 440 mtorr, Tc = 89 K and 1Tc = 0:5 K. 空位型缺陷与沉积条件的关系 Pa = 420 mtorr ▲Ts = 760oC; □, Ts = 730oC 相同空气分压，衬底温度越高，正电子平均寿命越小 相同衬底温度，空气分压越高，正电子平均寿命越大 Ts = 730oC, ▲ Pa = 250 mtorr □, Pa = 420 mtorr 空位型缺陷与沉积条件的关系 空位型缺陷的正电子寿命(360ps)不变 Ts (C) Pa (mtorr) τ2 (ps) I2 (%) Cv/C (0) Tc (K) 760 420 326 16.9 0.89 84 730 420 327 46.9 3.86 88 730 250 325 36.6 2.53 77 740 580 325 26.5 1.58 90.8 740 530 326 18.6 1 91 四、分子束外延硅薄膜的质量评价 分子束外延生长半导体薄膜衬底温度的重要性—最佳生长温度LT—MBE 样品号 1080 1079 1087 1086 1003 1078 外延层厚(nm) 920 920 670 680 740 1130 生长温度(℃) RT 400 475 525 575 700 Sd/Sb 1.136 1.107 1.023 1.022 1.003 1.002 Sd/Sb 空位型缺陷类型 1.02~1.03 单空位 1.03~1.04 双空位 1.5 大的空位或空位团 五、其它 正电子湮没还可以研究相变、形变及辐射损伤等等，还可以对液体及非晶态金属中的空位进行研究 。 六、PET 六、PET 典型的最大强度投影(MIP) 18F-FDG (氟化脱氧葡萄糖 ) 全身PET影像撷取 探测器模块和PET探头的示意图(此处为西门子ECAT Exact HR+) 下课！ * 故事——记得1992年在中科院高能物理所举办的庆祝父亲九十寿辰的学术报告会上，李政道博士还曾风趣地说：“那年在昆明，我去文化巷赵老师家讨教专业方面问题，正好碰上赵老师用自行车推了一箱自制肥皂准备去送货。和赵老谈完回家后我就想：搞实验物理的人还得自制肥皂，推自行车送货上门，太辛苦了，我还是搞理论物理吧！看来我还真是选对了，有了今天的成就，我还得谢谢赵老呢！” ——女儿赵维志 * β＋衰变核素11C、13N和18O 18F等 第七章 正电子湮没技术  Positron Annihilation Technique 1930年Dirac从理论上预言了正电子的存在，1933年获诺贝尔奖 1932年Anderson在实验上（云室）发现了正电子，1936年获诺贝尔奖 ??????????????????????????????? ??????????????????????????????? 上世纪70年代 正电子湮没技术 上世纪80年代 正电子湮没谱学 上世纪90年代 正电子谱学 一、正电子和正电子湮没 e+—e-的反粒子，自旋1/2?，磁矩+1?B 单光子-与K壳层电子湮没 双光子-与自由或近自由电子湮没 三光子- o- Ps正电子素湮没 §1. 固体中的正电子湮没 这里只研究2?湮没。 按湮没时负电子状态，分为束缚态湮没和自由态湮没。 Positronium 分为par