第三章 集成电路工艺课程实例.pptVIP

集成电路设计基础Basic of Integrated Circuit Design;第三章 集成电路基本工艺; 设计;—制造业—; 前工序、 后工序及辅助工序 1) 前工序 半导体器件的核心部分——管芯制造 （1） 薄膜制备工艺： 包括氧化、 外延、 化学气 相淀积、 蒸发、 溅射等。 （2） 掺杂工艺： 包括离子注入和扩散。 （3） 图形加工技术： 包括制版和光刻。 2) 后工序 从中间测试开始到器件完成的所有工序, 有中间测试、 划片、 贴片、 焊接、 封装、 成品测试等。 3) 辅助工序 （1） 超净环境的制备； （2） 高纯水、气的制备：去离子和细菌，绝缘电阻率高达15 MΩ·cm以上的电子级纯水； ? （3） 材料准备：制备IC生产所需要的晶圆，包括切片、磨片、抛光等工序 ;集成电路是经过很多道工序制成的。其中最基础的工艺有： 生产所需类型衬底的硅圆片工艺； 确定加工区域的光刻工艺； 向芯片中增加材料的氧化、淀积、扩散和离子注入工艺； 去除芯片上的材料的刻蚀工艺。 集成电路的制造就是由这些基础工艺的不同组合构成的。; 拉晶炉;300mm商用直拉单晶硅; 一般地，将在单晶衬底上生长同质或其他半导体材料薄层的过程叫做外延，生长有外延层的晶体片叫做外延片。一般采用气相外延生长工艺（VEP），其分为物理、化学汽相淀积工艺。