实验11 半导体α谱仪.doc

实验11 半导体α谱仪 实验目的 1. 了解α谱仪的工作原理及其特性。 2. 掌握应用谱仪测量α粒子能谱的方法。 3. 测定241Am核素的α衰变的相对强度。 实验内容 1. 调整谱仪参数，测量不同偏压下的α粒子能谱，并确定探测器的工作偏压。 2. 测定谱仪的能量分辨率，并进行能量刻度。 3. 测量未知α源的能谱，并确定α粒子能量。 4. 用偏置放大器扩展能谱，并测定241Am α衰变的相对强度。 原理 金硅面垒探测器是用一片N型硅，蒸上一薄层金（10-20nm），接近金膜的那一层硅具有P型硅的特性，这种方式形成的PN结靠近表面层，结区即为探测粒子的灵敏区。探测器工作时加反向偏压。α粒子在灵敏区内损失能量转变为与其能量成正比的电脉冲信号，经放大并由多道分析器测出幅度的分布，从而给出带电粒子的能谱。偏置放大器的作用是当多道分析器的道数不够用时，利用它切割、展宽脉冲幅度，以利于脉冲幅度的精确分析。为了提高谱仪的能量分辨率，探测器要放在真空室中。另外金硅面垒探测器一般具有光敏特性，在使用过程中，应有光屏蔽措施。 金硅面垒型半导体α谱仪具有能量分辨率高、能量线性范围宽、脉冲上升时间快、体积小和价格便宜等优点，在α粒子及其它重带电粒子能谱测量中有着广泛的应用。 带电粒子进入灵敏区，损失能量产生电子孔穴对。形成一对电子空穴所需的能量ω，与半导体材料有关，与入射粒子的类型和能量有关。对于硅，在300K时，ω为3.62eV，77K时为3.76eV。对于锗，在77K时ω为2.96eV。若灵敏区的厚度大于入射粒子在桂中的射程，则带电粒子能量E全部损失在其中，产生的总电荷量Q等于(E/ω)e。E/ω为产生的电子空穴对数，e为电子电量。由于外加偏压，灵敏区的电场强度很大，产生的电子空穴对全部被收集，最后在两极形成电荷脉冲。通常在半导体探测器设备中使用电荷灵敏前置放大器。它的输出信号与输入到放大器的电荷量成正比。 探测器的结电容Cd是探测器偏压的函数，如果核辐射再探测器中产生电荷量Q，那么探测器输出脉冲是Q/Cd。因此，由于探测器偏压的微小变化所造成的Cd变化将影响输出脉冲的幅度。事实上，电源电压的变化就可以产生偏压的这种微小变化。此外，根据被测粒子的射程调节探测器的灵敏区厚度时，也往往需要改变探测器的偏压。要减少这些变化对输出脉冲幅度的影响，前级放大器对半导体探测器系统的性能起着重要的作用。如图1表示典型探测器的等效电路和前置放大器的第一级。其中－K是放大器的开环增益，Cf是反馈电容，Cl是放大器的总输入电容，它等于Cd＋C’，C’是放大器接插电缆等寄生电容。前置放大器的输入信号是Q/Cd，它的等效输入电容近似等于KCf，只要KCfCl，那么前置放大器的输出电压为。这样一来，由于选用了电荷灵敏放大器作为前级放大器，它的输出信号与输入电荷Q成正比，而与探测器的结电容Cd无关。 1. 确定半导体探测器的偏压 对N型硅，探测器灵敏区的厚度dn和结电容Cd与探测器偏压V的关系如下： dn≈0.5(ρnV)1/2 (μm) Cd=2.1×104(ρnV)-1/2 (μμF/cm2) 其中ρn为材料电阻率（Ω·cm）。因灵敏区的厚度和结电容的大小决定于外加偏压，所以偏压的选择首先要使入射粒子的能量全部损耗在灵敏区中和由它所产生的电荷完全被收集，电子空穴复合和陷落的影响可以忽略。其次还需考虑到探测器的结电容对前置放大器来说还起着噪声源的作用。电荷灵敏放大器的噪声水平随外接电容的增加而增加，探测器的结电容就相当它的外接电容。因此提高偏压降低结电容可以相当地减少噪声，增加信号幅度，提高信噪比，从而改善探测器的能量分辨率。从上述两点来看，要求偏压加得高一点，但是偏压过高，探测器得漏电流也增大而使分辨率变坏。因此为了得到最佳能量分辨率，探测器的偏压应选择最佳范围。实验上最佳能量分辨率可通过测量不同偏压下的α谱线求得，如图2所示。并由此试验数据，分别作出一组峰位和能量分辨率对应不同偏压的曲线，如图3、图4。分析以上结果，确定出探测器最佳偏压值。 2．α谱议的能量刻度和能量分辨率 谱议的能量刻度就是确定α粒子能量与脉冲幅度之间对应关系。脉冲幅度大小以谱线以谱线峰位在多道分析器中的道址表示。α谱议系统的能量刻度有两种方法： （1）用一个239Pu、241Am、244Cm混合的α刻度源，已知各核素α E＝Gd＋E0 （4） E为α粒子的能量（keV）。d为对应E谱峰所在道址。G是直线斜率（keV/道）,称为刻度常数。E0是直线截距（keV）。它表示由于α粒子穿过探测器金层表面所损失的能量。 （2）用一个已知能量的单能α源，配合线性良好的精密脉冲发生器来作能量刻度。这是在α源种类较少的实验条