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高 电 压 技 术 康忠健 中国石油大学信控学院 《高电压技术》导言 一、本课程学习目的 通过本课程学习应使学生重点掌握电力系统产生过电压的机理和过电压保护的基本方法，培养学生分析和解决电力系统中绝缘与作用电压矛盾的能力。通过本课程学习，为今后从事有关高电压与绝缘方面的工作打下基础。 二、主要内容 1、各类电解质在高电场下的特性 2、电气设备绝缘试验技术 《高电压技术》导言 3、电力系统过电压与绝缘配合 《高电压技术》导言 三、预备知识、参考书 1、预备知识： 电路知识 电力系统分析知识 2、参考书 《电力系统过电压》，解广润，水利电力出版社，1985； 《高电压技术》，胡国根，重庆大学出版社，1996； 《电力系统运行及过电压保护》，河南省电力工业局，中国电力出版社，1995。 《高电压技术》导言 四、学习进度与建议 学习本门课程应注意理论学习与实际分析相结合，理解绝缘机理与过电压的相互关系，注意培养自己的分析问题的能力。 第一章 气体的放电基本物理过程和电气强度 主要内容： 第一节 汤逊理论和流注理论 第二节 不均匀电场中的放电过程 第三节 空气气隙在各种电压下的击穿特性 第五节 提高气体介质电气强度的方法 第六节 沿面放电及防污对策 第一节 汤逊理论和流注理论 主要内容： 一、非自持放电和自持放电 二、汤逊理论 三、巴申定律 四、流注理论 五、强电负性气体自持放电的条件 为了定量分析气隙中气体放电过程，引入三个系数： α—电子沿电场方向行径1cm平均发生的碰撞电离次数 β—正离子沿电场方向行径1cm平均发生的碰撞电离次数 γ—折合到每个碰撞阴极表面的正离子，使阴极金属平均释放出的自由电子数 α系数—电子崩过程（α过程） β系数—离子崩过程（β过程） γ系数—离子崩达到阴极后引起阴极发射二次电子的过程 （γ过程） 电子碰撞电离是气体放电的主要原因。二次电子来源于正离子撞击阴极使阴极表面逸出电子，逸出电子是维持气体放电的必要条件。 　　　 三、巴申定律 气体击穿电压的表达式：α=Ap Ap · d= (1+ ) -自持放电的起始电压，等于气隙的击穿电压。 巴申定律：当气体成分和电极材料一定时，气隙间隙击穿电压（ ）是气压（ｐ）和极间距离（ｄ）乘积的函数。 为了考虑温度影响用气体密度（δ）代替压力。 四、流注理论（非电负性气体） 1.注流 高气体、长气隙(pd26.66kPa.cm)的放电过程不同，需用流注理论解释。 电子崩发展到足够的程度后，电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸变，大大加强电子崩崩头和崩尾处的电场。同时放射出大量光子成为引发新的空间光电离的辐射源。 （二次电子的主要来源是空间的光电离） 汤逊理论：二次电子来源于正离子撞击阴极使其逸出电子。 五、强电负性气体自持放电的条件 1、附着效应η系数——电子附着效应η过程，表示一个电子沿电场方向行径1cm时平均发生的电子附着次数。 2、流注自持放电条件（强电负性气体的工程应用属于流注放电范畴）。 Ｋ＝10.5( )—电子崩中电子的临界值取对数 第二节不均匀电场中的放电过程 主要内容： 一、稍不均匀电场的放电特点 二、极不均匀电场中的电晕放电现象 三、极不均匀电场中的放电过程 一. 稍不均匀电场 当d=2D时，稍不均匀，电晕放电不稳定，一旦出现，气隙立即被击穿。f2 f：电场不均匀系数 f=Emax/Eav Eav=U/d) 当d=4D时，极不均匀，存在稳定的电晕放电。f4 稍不均匀场气隙击穿电压均匀场气隙击穿电压 二.极不均匀电场中的电晕放电现象 极不均匀电场中，U 在气隙完全击穿以前在电极附近会发生电晕（暗蓝色晕光） 晕光 ：是由电极表面电离区的放电过程造成的。 电晕放电的电流强度与外加电压、电极形状、极间距离、气体性质和密度相关。