chapter-14-激光和固体的量子理论.pptVIP

在相邻的两个能带之间，可以有不存在电子稳定能态的能量区域，称为禁带。 价带之上的能带没有分布电子，称为空带。 未排满电子的价带和紧靠价带的空带又称为导带。 四、导体、半导体和绝缘体 导体 绝缘体 半导体 按能带论，不同的导电性能，是因为它们的能带结构不同。 在能带论的基础上可以证明，一个完全充满的能带即使有电场存在也形不成电流。 绝缘体：价带满，且禁带宽（?Eg=3～6 eV） 半导体：价带满，但禁带窄（?Eg=0.1～1.5 eV） 导 体：价带不满或价带与其他空带有交叠。 §14-3 半导体 一、电子和空穴 当半导体中电子从满带跃迁到导带后，满带中就出现了空位，称为空穴。 电子导电：导带中的电子在外电场作用下的定向运动。 空穴导电：满带中存在空穴的情况下，电子在满带内的迁移，相当于空穴沿相反方向运动，等效一个带正电的粒子的运动。 本征半导体是指纯净的半导体。 本征半导体导带上的电子和满带上的空穴总是成对出现的，兼有电子导电和空穴导电——本征导电。 二、杂质的影响 杂质半导体是指在纯净的半导体中掺有杂质，包括：n型半导体和 p 型半导体 。 在四价的本征半导体硅（Si）或锗（Ge） 等中掺入少量五价的杂质元素磷（P）或砷（As）等后形成电子型半导体称为n 型半导体。 杂质元素的五个价电子的四个价电子与硅或锗形成共价键，多提供的一个电子与杂质原子结合较弱。 可以证明： 多余电子的能级处在禁带中紧靠空带处，该能级称为施主能级。 施主能级上的电子极易激发到导带底形成电子导电，从而导电性大大增强。 n 型半导体以电子导电为主。 在四价的本征半导体硅（Si）或锗（Ge）中掺入少量三价的杂质元素硼（B）或镓（Ga）等形成空穴型半导体称为 p 型半导体。 杂质元素的三个价电子的与硅或锗形成共价键时还缺一个电子，或提供了一个空穴，该空穴杂质原子结合较弱。 可以证明，这些空穴的能级处在禁带中紧靠满带处，该这些空着的能级称为受主能级。 满带顶的电子极易激发到受主能级上形成空穴，从而导电性大大增强。 p 型半导体以空穴导电为主。 三、电阻率和温度的关系 导体的电阻率随温度的升高而增大。 半导体的电阻率随温度的升高而急剧地下降。 解释：由于半导体中的电子吸收能量后，受激跃迁到导带的数目增多。 可以制成热敏电阻。 四、半导体的光电导现象 在光照射下，半导体中的电子吸收光子的能量后，从满带或施主能级向导带跃迁，或从满带向受主能级跃迁，使载流子增多，从而增加了导电能力，这种现象称为光生载流子，又称为内光电效应。 利用半导体的光电导现象可以制成光敏电阻。 五、pn 结 将 p 型半导体和 n 型半导体相互接触，由于 n 区的电子向 p 区扩散，p 区的空穴向 n 区扩散，在交界处形成了 pn 结（pn junction）。 在交界面附近，p型区中的空穴被扩散来的电子复合，产生负电荷的积累， n型区中的电子被扩散来的空穴复合，产生正电荷的积累。结果在交界面处形成了电偶层。 电偶层的电场阻碍电子和空穴的进一步扩散，最后形成一稳定的电势差U0。 pn 结附近的能带也发生了弯曲。 在 pn 结的 p 型区接电源正极， n 型区接电源负极（称为正向偏压）。这时电偶层电场被削弱，有利于空穴向 n 区运动，电子向 p 区运动，形成正向电流。 在 pn 结的 p 型区接电源负极， n 型区接电源正极（称为反向偏压）。这时电偶层电场被增强，不利于空穴向 n 区运动，电子向 p 区运动，电路被阻断，但有少数载流子在电场作用下移动形成反向电流。 二极管由pn 结构成 ，所以二极管具有单向导电性。 pn结的伏安特性 §14-4 超导体 一、超导电现象 1908年，荷兰物理学家昂内斯（H. Kammmerlingh-Onnes）实现了氦的液化； 1911年，他发现，当温度降到4.2 K时，水银的电阻突然消失，第一次发现了超导电现象。 1913年，获得诺贝尔物理学奖。 超导电现象 某些材料在温度低于某一温度时，电阻突然降到零的现象。 具有超导电性的材料称为超导体，电阻降为零的温度称为转变温度或临界温度（Tc）。 对于氧化物超导体，其转变温度范围较宽。 把电阻下降到90%及10%所对应的温度范围称为转变宽度?T。 起始转变温度Ts ，中点温度Tm ， 完全转变温度Te 二、超导体的主要特性 1. 零电阻 超导体处于超导态时电阻完全消失，若形成回路，一旦回路中有电流，该电流将无衰减地持续下去。 2. 临界磁场与临界电流 材料的超导态可以被外加磁场破坏而转入正常态，这种破坏超导态所需的最小磁场强度称为临界磁场（Hc）。 临界磁场的存在，限制了超导体中能够通过的电流。当通过超导体的电流超过某一电流值时，超导态被破坏，此电