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*/75 例如: 常规Al2O3烧结温度在2073-2173K, 在一定条件下,纳米的Al2O3可在1423K至1773K烧结,致密度可达99.7%. 常规Si3N4烧结温度高于2273K, 纳米氮化硅烧结温度降低673K至773K。 纳米级ZrO2陶瓷的烧结温度比常规微米级的ZrO2低~400K。 */75 纳米TiO2在773K加热呈现出明显的致密化,而晶粒仅有微小的增加,致使纳米微粒TiO2在比大晶粒样品低873K的温度下烧结就能达到类似的硬度. */75 非晶态向晶态的转化温度降低 非晶纳米微粒的晶化温度低于常规粉体 传统非晶氮化硅在1793K开始晶化成α相 纳米非晶氮化硅在1673K加热4h全部转变成α相 */75 对纳米材料而言,Tm↓,热膨胀系数α↑ Cu(8nm)微粒:在110K→293K时, α 为31×10-6K-1 单晶Cu: α 为16×10-6K-1 已证实,Cu和Au晶界热膨胀比晶内高3倍,间接说明了纳米晶体热膨胀系数高的原因。 α-Al2O3热膨胀系数: 80nm (9.3×10-6K-1) 105nm (8.9×10-6K-1) 5μm (4.9×10-6K-1) */75 磁化强度与磁场强度的关系:M=χH Χ-磁化率:反映材料的磁化能力或磁化难易程度,据其大小,将材料分为: 顺磁、抗磁、铁磁、反铁磁、亚铁磁 纳米微粒尺寸小到一定临界值时进入超顺磁状态。 α-Fe--5nm Fe3O4 --16nm→铁磁体--顺磁 Fe2O3 --20nm 原因: 尺寸↓--各向异性能↓--与热运动能可相比拟--磁化方向不再固定--易磁化方向作为规律的变化--超顺磁 注意: 出现超顺磁的临界尺寸与纳米磁性微粒的种类有关 1.3.2纳米微粒的磁学性能 */75 由于存在弛豫产生的宏观量子隧道效应会导致磁性消失,超顺磁性限制对于磁存贮材料是至关重要的 如果1bit的信息要在一球形粒子中存贮10年则要求微粒的体积V40KBT/K(K为各向异性常数)。在室温下,对于立方晶粒,其边长应大于9nm。 */75 纳米微粒,当其尺寸大于超顺磁临界尺寸时,通常呈现高的矫顽力Hc。且Hc随尺寸减小而增大,到达最大最后反而下降。 对应最大值的晶粒尺寸相当于单畴的尺寸。一般为几纳米~几百纳米。 矫顽力随温度的提高而降低。 */75 */75 纳米微粒高矫顽力来源: 一致转动模型 粒子尺寸小到单畴尺寸时(Fe,12nm;Fe3O4,40nm)--单个永磁体--消磁(每个粒子整体磁矩反转)--高矫顽力 与实验值有较大偏差 球链反转模型 都有为等认为,纳米微粒通过静磁作用形成链状。 成功解释了纳米微粒Fe、Fe3O4、Ni等高矫顽力来源 */75 居里温度下降 居里温度Tc为物质磁性重要参数,通常与交换积分Je成正比,并与原子构型和间距有关。 对于薄膜,理论与实验研究表明,厚度↓--Tc↓ 对于纳米微粒,也具有较低的Tc 磁化率 纳米微粒的磁性与所含的总电子数的奇偶密切相关 为奇: 量子尺寸效应使得磁化率与d-3成正比 为偶:量子尺寸效应使得磁化率与d2成正比 */75 1.3.3纳米微粒的电学性能 金属材料具有导电性 纳米金属微粒导电性能却显著降低 当电场能 分立能级间距 --导电→绝缘 */75 Gieiter教授研究Pd纳米微粒电学性质时发现: 与常规块材相比,其比电阻增大 比电阻随粒径的减小而逐渐增加 比电阻随温度的升高而增大 随着粒子尺寸的减小,直流电阻温度系数降低 当颗粒小于某一临界尺寸(电子平均自由程),电阻系数可能由正变负,即T↑,电阻↓ */75 原因: 电阻来源:晶格振动,晶体中杂质、缺陷,晶界等 纳米材料体系的大量界面时的界面散射对电阻的贡献非常大,当尺寸很小时,这种贡献对总电阻占支配地位,导致总电阻趋于饱和值,随温度的变化趋缓 当粒径超过一定值时,量子尺寸效应造成的能级离散性不可忽视,温度升高造成的热激发电子对电导的贡献增大(与半导体类似),即温度系数变负。 */75 纳米材料的介电常数通常高于常规材料。且随测量频率的降低呈明显的上升趋势。在低频范围内远高于常规材料。 原因:界面极化(空间电荷极化) 转向极化:缺陷处形成电偶极矩-- 松弛极化 在低频范围,介电常数强烈依赖于颗粒尺寸:随粒径增加,逐渐增大,然后再变小。 介电损耗强烈依赖于颗粒尺寸 */75 纳米微粒尺寸与物理量的特征尺寸相比拟 1.宽频带强吸收 金属纳米微粒对可见光反射
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