CCD的基本工作原理解析.pptVIP

一、电荷存储 二、电荷转移 二、电荷转移 二、电荷转移 三、电荷的注入和检测 三、电荷的注入和检测 光注入 电注入 CCD摄像器件的光敏单元为光注入方式 当光照射到CCD硅片上时，在栅极附近的半导体内 产生电子－空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少 数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。 光注入电荷 为 半导体的光吸收过程也就是光照产生载流子的过程。光信号转换成电信号的过程实际上还包括对空间连续的光强分布进行空间上分立的采样过程。 四、电荷的检测(输出方式) 电流输出 浮置扩散放大器输出 浮置栅放大器输出 CCD像感原理 1、线型CCD摄像器件的两种基本形式 ⑴单沟道线阵ICCD ⑵双沟道线阵ICCD 2、面阵ICCD ⑴帧传输结构 特点： 1.结构简单 2.光敏元尺寸小 3.MTF较高 4.光敏面积占总面积的比例小 ⑵行间传输结构 ⑶线传输结构 特点： 1.有效光敏面积大 2.转移速度快 3.转移效率高 4.电路较复杂 CCD摄像机简介 CCD摄像机输出信号的制式应与监视器的制式相同 25帧 50场 扫描行数575 奇场 1、3、5……575 偶场 2、4、6……576 场正程时间 18.4ms,场逆程时间1.6ms 行正程时间 52us,行逆程时间12us ICCD的基本特性参数 1、光电转换特性 电荷包是由入射光子被硅衬底吸收产生的少 数载流子形成的。因此，它具有良好的光电转 换特性。 转换因子 2、光谱响应 正面光照与背面光照 3、动态范围 ⑴势阱中的最大信号电荷量 ⑵噪声 噪声源：①输入；②转移；③输出 4、暗电流 产生暗电流的主要原因有： ⑴耗中尽层的硅衬底电子自价带至导带的本征跃迁。 ⑵少数载流子在中性体内的扩散 ⑶来自SiO2界面和基片之间的耗尽区 ⑷ Si－SiO2界面表面引起的暗电流 一般而言，以第三种原因产生的暗电流为主。 此外，温度影响。据计算，温度降低10℃，暗电流下 降1/2 5、分辨率 MTF CTF 与入射光谱有关 几何MTF CTF 奈奎斯特极限频率： MTF 武汉大学电子信息学院 * 武汉大学遥感学院 孙红星 CCD的基本工作原理 电荷耦合器件(CCD)的最突出的特点在于它是以电荷作为信号，而不同其它大多数器件是以电流或者电压作为信号。CCD的基本功能是电荷存储和电荷转移。因此，CCD工作过程中的中 心问题是信号电荷的产生、存储、传输和检 测。 构成CCD的基本单元是MOS(金属－氧化物－半导体) MOS电容存储信号电荷的容量为： 一、工作原理 将二维光学图像信号转变成一维视频信号输出 两大类型：线型 面型 像敏面将照在每一像敏单元上的图像照度信号转变为少数载流子密度信号存储于像敏单元(MOS电容)中，然后再转移到CCD的移位寄存器(转移电极下的势阱)中，在驱动脉冲的作用下顺序地移出器件，成为视频信号。 * *