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Theory of Thermally Activated Growth热激活长大理论 Theory of Thermally Activated Growth General introduction Interface controlled growth Diffusion controlled growth With composition change Zener’s model （thickening of plate ） Zener-Hillert modeling （lengthening of plate） Interface controlled growth: The accommodation factor is low enough. 长大线速度直接正比于两相的自由能差， 不随时间而变。? ＝ M ??G/Vm (p.135, Eq. 3.21) Diffusion controlled growth: The accommodation factor is close to unity. (p.177) Zener模型： 长大的尺度与(Dt)1/2成正比， 或长大线速度正比于(D/t)1/2 Zener-Hillert模型：长大线速度不随时间而变。 Tie-line and the Concentration-Distance Diagram Tie-line and the Concentration-Distance Diagram 不同脱溶产物对应的具有不同的固溶度线 Gibbs-Thomson Effect(毛细管效应) 毛细管效应指平衡相变参量随界面曲率而变化的现象。例如，固态转变中饱和浓度随界面曲率增大而增大的现象，熔体生长系统的凝固点随界面曲率增大而降低的现象，以及气相生长系统的饱和蒸汽压随界面曲率增大而升高的现象。 毛细管力（capillary forces）为几种界面迁移力（毛细管力、化学力、机械力、摩擦力）的一种。 对应的自由能－成分曲线图示（参见下隔页图示） 对应的相图图示（参见再后隔页图示） （应注意其图示与不同析出相的固溶度线示意图的重要区别） 数学解析表达式 C?r = C?∞[1 + (2?V/RT) (1/r)] 固态转变中举例： 粒子粗化，扩散控制片状脱溶相侧向伸长等 Gibbs-Thomson Effect(毛细管效应) C?r = C?∞[1 + (2?V/RT) (1/r)] Gibbs-Thomson Effect(毛细管效应) 数学解析表达与分析 一种数学解析表达式 C?r = C?∞[1 + (2?V/RT) (1/r)] 不同r值的几种情况： （1） r = ∞, C?r = C?∞ （2） r足够小，已导致不可忽略的毛细管效应，但对应的C?r C0 （3） 对应的C?r = C0 ，此时r = r* （4） r非常小，不但导致了不可忽略的毛细管效应，且对应的C?r C0 Gibbs-Thomson Effect(毛细管效应)对应的相图与浓度-距离关系曲线图示 相图中，毛细管效应导致的solvus偏移（左图）≠不同脱溶产物对应的具有不同的solvus位置（右图） 相图等温线与浓度-距离关系曲线 Tie-line and the Concentration-Distance Diagram Tie-line and the Concentration-Distance Diagram 复习与补遗 局部平衡：指相界面上两相成分依照相图互呈平衡。 邓书，p.172，图9-13 2. 局部平衡与混合过程控制（扩散过程＋界面过程） 邓书，p.172， 图9-14 仲平衡 邓书，p.172 Two Types of Concentration-Distance Diagrams Prof. Guoquan LIU * ? ?＋ ? ? ? ＋ ? ? A B T T2 C?T2 C ? T2 C0 ?T ?C CB 界面位置 ? ?＋ ? ? ? ＋ ? ? A B T T1 C?T1 C?T1 C0 ?C ?T C?T1 C0 距离，x ? ? T=T1 处于某给定时刻 过饱和度因子： ?＝(C0-C?)/(C?-C?) C?T1 浓度CB 界面位置 教材p.