模拟电子技术基础_杨拴科_第3章.pptVIP

JFET符号 N沟道 P沟道 场效应管的特点（与双极型晶体管比较） (1) 场效应管是一种电压控制器件，即通过uGS来控 制iD； 双极型晶体管是一种电流控制器件，即通过iB来控制iC。 (2) 场效应管的输入端电流几乎为零，输入电阻非常 高; 双极型晶体管的发射结始终处于正向偏置，有一定 的输入电流，基极与发射极间的输入电阻较小。 (3) 场效应管是利用多数（一种极性）载流子导电的; 在双极型晶体管中二种极性的载流子（电子和空穴）同时参与了导电。 (4) 场效应管具有噪声小、受辐射的影响小、热稳定 性较好，且存在零温度系数工作点。 (5) 场效应管的结构对称，有时（除了源极和衬底在 制造时已连在一起的MOS管）漏极和源极可以 互换使用，且各项指标基本不受影响，使用方便、 灵活。 (6) 场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。 每个MOS场效应管在硅片上所占的面积只有双极 性晶体管5%。 场效应管的跨导小，当组成放大电路时，在相 同的负载电阻下，电压放大倍数比双极性晶体管 低。 (8) 由于MOS管的输入电阻高，由外界感应产生的电 荷不易泄露，而栅极上的绝缘层又很薄，这将在 栅极上产生很高的电场强度，以致引起绝缘层的 击穿而损坏管子。 2. 绝缘栅场效应管的栅极为什么不能开路？ 思 考 题 1.与双极型晶体管相比，场效应管主要有哪些特点？ 3.3 场效应管放大电路 3.3.1 场效应管的偏置及其电路的静态分析 1．自给偏压 场效应管常用的偏置方式 自给偏压 分压式偏置 IDQ USQ= IDQ RS UGSQ= –IDQ RS (1) 电路 (2)自给偏压原理 + _ + _ 可见，gm与IDQ有关。IDQ越大，gm也就越大。 3. 极限参数 (1) 漏极最大允许耗散功率 PDSM (2) 最大漏极电流IDSM (2) 极间电容 栅源电容Cgs 栅漏电容Cgd 漏源电容Cds (3) 栅源击穿电压U（BR）GS (4) 漏源击穿电压U（BR）DS [例] 在图示电路中，已知场效应管的 ；问在下列三种情况下，管子分别工作在那个区？ (b) (c) (a) [解] (a) 因为uGSUGS(off) , 管子工作在截止区。 G D S (b) 因 管子工作在放大区 (c) 因 管子工作在可变电阻区 G D S 3.2 绝缘栅型场效应管 N沟道 IGFET 耗尽型 增强型 P沟道 N沟道 P沟道 绝缘栅型场效应管的类别 3.2.1 增强型MOS管 g s d N+ N+ SiO2保护层 Al b P 结构示意图 P N+ s g d N+ 以P型半导体作衬底 形成两个PN结 SiO2保护层 引出两个电极 引出两个电极 引出栅极 Al 从衬底引出电极 两边扩散两个高浓度的N区 SiO2保护层 P N+ s g d N+ Al 故又称为MOS管 管子组成 a. 金属 （Metal) b. 氧化物 (Oxide) c.半导体(Semiconductor) 1. 工作原理 电路连接图 P N+ s g d N+ – + + – (1) uGS =0 , uDS≠0 源极和漏极之间始终有一个PN结反偏，iD=0 P N+ s g N+ iD=0 d – + + – P N+ s g N+ iD=0 d – + + – (2) uGS 0 ,uDS =0 产生垂直向下的电场 P N+ s g N+ iD=0 g – + + – 电场排斥空穴 吸引电子 形成耗尽层 P N+ s g N+ iD=0 d – + + – 形成导电沟道 当uGS =UGS(th)时 出现反型层 P N+ s g N+ iD=0 d – + + – UGS(th)——开启电压 N沟道增强型MOS管，简称NMOS N沟道 P N+ S G N+ iD0 D – + + – uDS (d)沟道反型层呈楔形 (b) 沿沟道有电位梯度 (3) 当uGS UGS(th） ,uDS0时 (c) 绝缘层内不同点的电场强度不同,左高右低 (a) 漏极电流iD0 uDS增大，iD增大 a. uDS升高 沟道变窄 P N+ S G N+ iD0 D – + + – uDS 反型层变窄 b. 当uGD =uGS–uDS=UGS(th）时 P N+ S G N+ iD0 D – + + – uDS 沟道在漏极端夹断 (b) 管子预夹断 (a) iD达到最大值 c. 当uDS进一步增大 (a) iD达到最大值且恒定 P N+ S G N+ iD0 D – + + – uDS P