集成电路键合工艺研究.pdf

目 录 摘要···…………····………………········………………·1 Abstract··············-·············································2 第一章绪论······························……··………………·3 第二章实验方法和测试方法…··…··……………………………4 2．1键合技术的现状·………………………··…………····4 2．2键合的设备与材料……………··………………………6 2．2．1键合的设备料···········································6 2．2．2键合的材料··……………………………………·9 2．3实验实现方法……·········································14 2．4测试与验证方法··………………·……………………17 2．4．1瞬时测试…………………·························17 2．4．2封装级可靠性验证···········………………………20 第三章不同键合材料的工艺窗口研究········……………………··2l 3．1设备硬件系统的研究·········································2l 3．2劈刀与材料的关系…·················…………·………·24 3．3键合参数的研究…··········································28 3．4键合区域能量的研究………………………·…………·31 第四章不同键合材料的封装级可靠性研究…····…···…···…········32 4．1高温存储的影响·············································33 4．2高温蒸煮的影响………………···············…………36 4．3工艺窗口内的封装级可靠性验证…………………………·42 第五章研究结论····················································44 参考文献……………………………······………………··45 致谢-························…·························………·46 万方数据 摘 要 引线键合技术作为集成电路封装的关键工序已近被广泛的运用于现代半导 体工业领域，其主要目的是实现芯片和外部电路，芯片与芯片之问的电气连接。 传统键合工艺是以金线为直接材料对芯片和外部空间所进行的焊接，自2000年 以来，由于国际市场黄金价格的不断上涨已成为集成电路本体成本的一个重要影 响因素。随着科技的不断进步，集成电路键合工艺对新材料的开发也进入了新的 阶段。2004年以后铜线技术的导入在短时间内已经争取到了大量的市场份额， 而随着晶圆厂商对于成本要求和铜线的材料本身所带来的局限性，新的银合金材 料也慢慢开始进入了各大封装厂商的评估和初步生产阶段。铜线和银合金以其优 越的电性能和良好的可靠性，正在不断的挑战着金线的主导地位。文章是从以金 线为基础的集成电路键合工艺出发，结合铜线和银线两种键合材料，就键合设备 硬件部分，软件参数部分和键合材料部分等各个部分的工艺窗口进行系统性的实 验分析，通过对各项实验结果的科学分析，确定不同键合线材料间所适用的键合 工艺窗口。在工艺窗口确立的基础上对不同键合线进行相应的封装级可靠性认 证，对所有键合线的可靠性认证结果进行系统性的比对，从而对研究所得的各种 键合线材料的工艺窗口进行全面的验证。值得关注的是自2010年以来，银质键 合线作为一种全新的键合材料慢慢进入试验阶段，但工艺和材料尚未完全确定， 而文章对银质