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液晶显示器件阵列工艺 王丽娟 第8章 液晶显示器的阵列工艺技术 长春工业大学 王丽娟 2013年02月10日 清洗 溅射 CVD 涂胶 曝光 显影 M1：Mo/AlNd M2：Mo/Al/Mo ITO 分为三个阶段：反应物质扩散到欲被刻蚀薄膜的表面；反应物与被刻蚀薄膜反应；反应产物从刻蚀薄膜表面扩散到溶液中，随溶液排出。 在此三个阶段中，反应最慢者就是刻蚀速率的控制关键，即反应速率。 主溶液 基板 薄膜 光刻胶 光刻胶 化学反应 反应物 反应物 反应机制 8.7 湿法刻蚀 喷嘴来回摆动 循环 水洗 直 水洗 基板入 蚀刻药液喷洒 直水洗 循环 水洗 直水洗 滚轮转动方向 风刀 干燥 基板出 刻蚀流程 8.7 湿法刻蚀 去胶：是使用去胶液等将刻蚀时起保护作用的光刻胶去掉的过程。常包括湿法去胶（去胶液、IPA处理等）和干法去胶（等离子等）。 去胶 8.7 湿法刻蚀 在刻蚀、显影等之后检查产品的缺陷，以便在过程中发现问题，进行修复处理。 8.7 湿法刻蚀 检查 * * 平板显示技术基础，2013年，北京大学出版社 本章主要内容 8.1阵列工艺概述 8.2 清洗工艺 8.3 溅射工艺 8.4 CVD工艺 8.5 光刻工艺 8.6 干刻工艺 8.7 湿刻工艺 8.8 阵列工艺中常见缺陷 8.1 阵列工艺概述 Glass film PR Glass Glass Glass film 成膜 涂胶 曝光 显影 刻蚀 Glass 去胶 镀下一层膜 3PEP 源漏电极 4PEP 钝化及过孔 玻璃 1PEP 栅极 2PEP 有源岛 5PEP 像素电极 制屏 清洗 8.1 阵列工艺概述 (2) 成膜 (3) 涂光刻胶 (1) 清洗 (4) 曝光 (6) 刻蚀 (7) 去胶 (5) 显影 光 湿刻 干刻 去胶 检查 终检 a-Si:H TFT的阵列工序 清洗：就是用毛刷、气蚀等的物理方法及用化学腐蚀的化学方法或二者相结合的方法，除去基板表面的灰尘、污染物及自然氧化物的工程。在阵列中洗剂采用的是NCW-601A0.3%的表面活性剂。 表面活性剂 毛刷 基板 8.2 清洗工艺 溅射：就是在真空室中，利用核能粒子轰击靶材表面，靶材粒子在基板上沉积的工程。在阵列中惰性气体有Kr、Ar气，靶材有MoW靶、ITO靶、Mo靶、AL靶。 直流磁控溅射的特点：放电空间的电场和磁场垂直。放电空间的电子回旋运动，放电气体的电离度大，射程长，产生高密度的等离子。 MoW溅射、ITO溅射、MoAlMo溅射 约0.1~1Pa的Ar 离子高能量的气体分子 约10eV 面 从靶材上溅射 溅射 真空蒸渡 形状 原理 ~10-4Pa的残留气体 真空度 没有 冲击基板的高能量粒子 约0.2eV 溅射与蒸发的原子的能量 点 热蒸发 原理 溅射与真空渡膜的比较： 8.3 溅射工艺 8.3 溅射工艺 靶材 Ar+ Ar 基板 排气 功率 磁场 Ar Ar+ 8.3 溅射工艺 CVD：化学气相沉积。就是在高频电场的作用下，使反应气体电离形成等离子体，反应离子及活性基团依靠从高频电场获得的能量从而能够在较低的温度衬底上成膜。在阵列中，有AP CVD（常压CVD）和PCVD（等离子体CVD）两种。 AP CVD SiO PECVD 4层膜 、 n+a-Si、 钝化SiNx AP CVD在低温下形成致密薄膜； PCVD可防止热产生的损伤及相互材料的扩散； PCVD可生长不能加热生长及反应速度慢的膜； PCVD利用平行电极可实现大面积化。 8.4 CVD工艺 8.4 CVD工艺 8.4 CVD工艺 万级间 百级间 装载/卸载 P/C：反应室 传送室 机械手 运载室 反应室电极板 通入反应气体 扩散板 基板 基座 升降机 泵 8.4 PECVD 三个基本的过程： 等离子相反应 输运粒子到衬底表面 表面反应 等离子体包括： 自由基 原子 分子 离子 电子 中性粒子 非中性粒子 1. 涂胶 - 前清洗 - 烘干/冷却 - 喷HMDS / 冷却 - 涂胶 - 前烘 / 冷却 2. 曝光 - 用一次、分布曝光机曝光 - 曝光后烘烤 3. 显影 - 显影 - 后烘 - 显影后检查 8.5 光刻工艺 栅线 薄膜 玻璃基板 光刻胶 涂胶 曝光 显影 栅极 紫外光 掩膜版 涂胶：就是在基板上涂上一层光刻胶（树脂、感光剂、添加剂、溶剂）。涂胶的方式是旋转基板，用滴管从中间滴下光刻胶，并同时吹入N2，滴下的光刻胶从中间向四周散布涂敷整个基板的过程。光刻胶有正性和负性之分。 8.5.1 涂胶 8.5.1 涂胶 8.5.1 涂胶 8.5.1 涂胶 旋涂 刮涂加旋涂