电子设计从零开始.docx

电子设计从零开始 各种电阻器 名称 参数类型 说明 其它 电源 电阻 阻值，电阻功率和电阻各类（某些电阻有正负）； 准的E4系列电阻的标称值：1.0，1.1，1.2，1.3、1.5、1.6、1.8、2.0、2.2、2.4、3.0、3.3、3.6、3.9、4.3、4.7、5.1、5.6、6.2、6.8、7.5、8.2、9.1乘上10、100、等；其允许误差为正负5%；可用于大批量生产； 另外还有E12系列的； 电阻功率有1/16,1/8,1/4,1/2、1、2、5、10等几种；一般功率大，价格贵； 1MΩ=1000MΩ=1000000Ω； 绒线电阻，非绕线电阻（碳膜电阻和金属膜电阻）； 实际一般用1/8瓦的金属膜电阻。 电容器 电容容量，额定直流电压及允许误差（某些电容有正负）,击穿电压,即耐压值。 容抗Xc=1/(2πfC) 容抗是阻碍交流电能力的大小； 隔直流通交流，通高频阻低频，大电容滤低频，小电容滤高频，储能元件；无极电容器上看到的数字前两位是有效数字，后一位是倍率，单位是pF(如104表示10*104 1F=106μF= 10 作用：旁路、耦合、滤波、振荡、相移和波形变换； 固定电容器（无极电容器——瓷介电容，独石电容；有极电容器——电解电容人）和可变电容器（空气单/双电容和微调电容器） 电感器 电感量L、感抗XL=2πfL，（其中，f为频率，XL的单位是欧姆），额定电流； 一种储能原件，阻高频通低频，把电能转换成磁能并储存起来，其特点是：对直流呈现很小的阻抗，对交流呈现很大的阻抗，即阻止电流的变化；且阻抗与通过交流信号的频率有关（成正相关）； 1H=1000mH=1000000μH; 作用：振荡、调谐、耦合、滤波、延迟、偏转； 常用的抗干扰元件。 二极管 正向偏压、反向偏压、死区电压、管压降、稳压二极管的稳压值； 二极管有正负，其外壳的一端有一个环形标记，代表二极管的负极； 单向导电性；伏安特性；正向特性；反向特性和击穿特性； 三极管 共发射极截止频率fB 特征频率fT 三极管的三个引脚ｂ，ｃ，ｅ分别称为基极(base),集电极（collector）和发射极（emitter）.三极管分为NPN型和PNP型两种（只是连接电源的极性和管内电流方向不同）。 三极管是一个电流放大元件；集电极流向发射极的电流受到基极的控制，基极很小的电流变化会引起集电极到发射极之间很大的电流变化。 三极管的电流放大系数 hFE=Ic 三极管的表征放大系数 hFB=Ic 三极管的三种状态：截止、（过）饱和和放大状态。 公式：hFE=Ic/I 三极管有PNP型和NPN型两种，以下都以NPN型为例。 对某些电子器件的补充说明： 电容的一些用途： 1：高频旁路，即将高频成分通过小电容旁路掉，下一级得到的是低频信号。这时候电容值用小的，几十皮法； 2：耦合电容：将上一级的交流成分传到下一级，而直流不能通过。这时候要用一个大电容，几十或几百微法； 3：在变压器中最后交流变直流时用大电容将交流成分滤掉，从而使得到的直流电更好。这时候在用大电容，越大越好。 在些电路中一般不是十分准确，只要在一个范围就行。但在LC振荡电路中就要十分准确了 二极管 1：二极管的伏安特性表现为一条曲线，如图 2：死区与死区电压：正向特性的起始部分，正向电流几乎为零，这是由于外加正向电压很小，二极管没有导通，呈现很高的电阻。这段区称为死区。对应于二极管开始导通时的外加正向电压称为死区电压； 3：管压降：如果说锗管的死区电压 约为0.1V，那么让锗管正常工作的正向电压应大于0.1V。而实际测量得到的结果是让锗管导通的电压为0.2～0.3V之间，这个电压值我称为二极管的管压降。 4：击穿特性：加反向偏压时，当电压达到一定值Uｚ时，电流反向增大得很快，这是因为外加反向电压超过了二极管的最大反向电压U 5:晶体二级管的选用思路： = 1 \* GB3 ①首先是类型（晶体二级管类型很多，仅普通二级管就有检波二级管、整流二级管、稳压二级管、开关二级管、变容二级管等；特殊的有发光二级管、有磁敏二级管、光电二级管、激光二级管等）； = 2 \* GB3 ②其次是参数，不同类型的二级管的主要参数各有不同，并且不同用途的二级管对哪些参数要求更严格（比如整流二级管，要特别注意最大整流电流；选用稳压管时，要注意稳定电压、最大工作电流等，还要注意选用动态电阻较小的稳压管）。 三极管 1：截止状态：当 Ib 接近于0时，Ic也接近于0，此时相当于切断基极电极到发射电极的电流, 2：饱和状态：当Uce=Ube时，即Ubc=0，Ib对Ic 3：放大状态：处于截止和饱和状态之间