张磊无氯法制备高纯硅烷技术.pptVIP

* 3.2 甲硅烷 提纯前后气体组分检测结果 图1 反应釜出来的原料硅烷测试PDHID图 图2 经过一次循环后硅烷测试PDHID图 * 杂质 ppm(v) 金属及其它 哈工大/REC H2 ≤1 / 20 Fe ≤0.4ppba Al ≤2ppta N2 ≤0.02 / ≤0.02 Cr ≤0.01ppba As ≤5ppta O2+Ar ≤0.05 / ≤0.06 Ni ≤0.02ppba Ga ≤5pbta CO ≤0.02 / ≤0.05 Cu ≤0.02ppba Sb ≤5ppta CO2 ≤0.02 / ≤0.03 Zn ≤0.03ppba In ≤5ppta CH4 ≤0.01 / ≤0.01 B ≤0.02ppba Pb ≤1ppta H2O ≤0.1 / ≤0.1 P ≤0.02ppba C ≤0.1ppma 高纯硅烷气体技术指标表 * 3.3 甲硅烷PECVD测试 膜厚 暗电流 亮电流 暗电导 亮电导 168.74±2.7 nm 3.5 pA 28.2nA 2.27×10-9 s/cm 1.83×10-5 s/cm 载体：康宁无钠玻璃 条件：纯硅烷 100sccm 10w 10min 检测结果表 * 部分测试设备 ICP-MS 气相色谱 液相色谱 PDHID氦离子化色谱 * 3.4 技术优势与创新性 无污染：烷氧基硅烷法采用工业级硅粉和醇为初始原材料, 工艺全流程无污染物进出反应系统 纯度高：甲硅烷纯度与MEMC、REC、Praxair等国外公司产品相当 高附加值副产品：生产过程中的副产品主要为四烷氧基硅烷，可被加工成多种高附加值产品，如高活性纳米二氧化硅、防水剂、苯基硅油、高纯石英玻璃母料及重防腐涂料等 成本低：高纯硅烷的生产条件温和，基本在常温常压下发生反应，因此整体能耗低，成本低 * 谢谢！ 三烷氧基硅烷是一种重要的有机硅中间体。直接法工艺简单，操作方便，无污染，弥补了旧工艺的缺点；目前直接法的制备工艺仍研究的不够深入，存在产率低，难以工业化，及分离困难等问题；对于烷氧基硅烷的合成及分离的深入研究可以更大地促进有机硅烷偶联剂等复合材料工业及太阳能电池等电子产业的发展。 * 主要内容 1.前言 2.硅烷制备技术发展现状? 3.无氯法制备高纯硅烷技术? * 1.前言 高纯硅烷是半导体工业、电子信息产业、新能源产业的最基础原材料 纯度高、无污染 对设备没有腐蚀 能实现精细控制 已经成为其它硅源气体无法取代的重要特种气体 “无氯烷氧基硅烷法”是制备高纯硅烷技术中的一种，目前俄、美、日都在竞相开展研究。 * 甲硅烷气体应用广泛 光伏产业 多晶硅、单晶硅、微晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、异质硅、各种金属硅化物、外延硅片 光电子产业 液晶平板显示器(TFT) 电子复印机光感鼓膜 微电子产业 集成电路 其它领域材料 用于制造先进陶瓷、复合陶瓷、功能材料、高能材料等 成为许多新技术、新材料、新器件基础 军事、卫星、交通 例如磁悬浮列车晶闸管所用材料 * SiH4 SiF4/ SiCl4 还原法 烷氧基 硅烷法 UCC法 2.硅烷制备技术发展现状 小松法 * UCC法制备硅烷使用的原料为SiHCl3，通过催化剂歧化SiHCl3的方法来制备硅烷，该方法是目前世界制备硅烷成本较低的一种技术。 主要反应如下 2.1 UCC法 * Erickson 、Chaeles等人在200-400℃时，将SiHCl3进行回流，加入路易斯酸如AlCl3、AlBr3、FeCl3、CoCl3、BF3等作为催化剂，发现SiHCl3歧化产生了SiH2Cl2和SiCl4，SiH2Cl2的最高产率达到10.7%。但并未发生进一步歧化。 Donald使用脂肪族腈类如己二腈作为催化剂，在150-200℃进行反应，SiHCl3同样歧化产生了SiH2Cl2和SiCl4，SiH2Cl2的产率最高可达14.1%，也未发现歧化进一步进行 。 Jex使用含N杂环化合物如吡啶等作为歧化催化剂，并在Al颗粒的存在下，加热SiHCl3进行回流，结果发现，SiH2Cl2的产率很高，可以达到85.94%。 Bailey使用氨类催化剂,如二烷基胺、三烷基胺以及它们的盐等，SiHCl3发生了歧化，同样只生成了SiH2Cl2，且产率较低，最高只有11%。 Manfred 使用了活性炭、AgCl、CuCl、NaCl、CuCN等作为催化剂，最终也只歧化产生了SiH2Cl2，且产率较低。 2.1 UCC法 * 直到1976年，美国联合炭化公司(UCC)的Carl 总结前人的经验，使用离子交换树脂作为催化剂，使用固定床反应器，首先对树脂进行除水，然后SiHCl3以气态通过固定床，终于成功制备出了SiH4 后人在此基础上不断进行创新、改进，最终形成了UCC法